【摘要】：隨著顯示行業(yè)的持續(xù)進步和發(fā)展,場效應晶體管(FET)因作為平板顯示的核心器件,其發(fā)展備受矚目。目前,通常采用非晶硅FET和低溫多晶硅FET作為液晶顯示器(LCD)像素的開關器件。而對于下一代顯示技術的有源矩陣有機發(fā)光二極管(AMOLED)來說,每個像素分別引入兩個FET作為開關和驅(qū)動FET,這就對FET的性能提出了更高的要求(載流子遷移率在10 cm~2/Vs以上)。金屬氧化物型FET因其優(yōu)異的電學性能、大面積均勻性和較低的制備溫度而受到關注。在本文中,我們分別利用靜電紡絲和溶膠凝膠技術制備高性能的金屬氧化物FET,研究分為三部分:第一部分:采用環(huán)氧樹脂作為粘合劑對納米纖維進行焊接,以提高纖維之間的粘附性,進而降低接觸電阻。利用焊接工藝的優(yōu)勢,制備了以焊接In_2O_3納米纖維為溝道層的FET,并顯示出良好的電學性能。第二部分:結合焊接工藝,選擇合適的摻雜劑對In_2O_3納米纖維進行摻雜,實現(xiàn)了對電子器件性能的精確調(diào)控。當高k ZrO_x代替SiO_2作為介電層時,電子器件的電學性能得到了進一步改善。此外,由于摻雜劑的加入,FETs的偏壓穩(wěn)定性也得到了顯著地增強。第三部分:設計了一種不使用其他金屬元素摻雜劑雙層器件結構。在該雙層器件中,有源層由兩個不同退火溫度的In_2O_3薄膜組成。其中,退火溫度較高的In_2O_3薄膜提供高的載流子濃度,能使電荷積累最大化而得到高遷移率;退火溫度較低的In_2O_3薄膜通過調(diào)節(jié)溝道電導而實現(xiàn)低的關態(tài)電流和合適的閾值電壓。因此,該雙層器件的電學性能和偏壓穩(wěn)定性都遠強于單層In_2O_3器件。
【學位授予單位】：青島大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2019
【分類號】：TN386.1

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