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酞菁銅薄膜二極管的封裝模式研究

發(fā)布時(shí)間:2020-07-15 02:51
【摘要】:本文采用真空蒸鍍和磁控濺射方法制備了垂直結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜二極管,制備的樣品分別進(jìn)行了PI封裝、環(huán)氧樹脂封裝、薄膜與環(huán)氧樹脂復(fù)合封裝、薄膜與PI復(fù)合封裝。對(duì)封裝與未封裝二極管的電氣性能在一段時(shí)間內(nèi)進(jìn)行測試比較,探究該器件在室內(nèi)環(huán)境中的電氣性能穩(wěn)定性和工作可靠性,解析封裝的效果以及有機(jī)薄膜器件實(shí)用性需要解決的封裝手段,以增加其實(shí)際應(yīng)用的可能性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,未封裝與封裝的二極管初始性能相近,但隨著時(shí)間的推移,未封裝器件趨近于絕緣,因?yàn)閷?dǎo)電的金屬Al電極被氧化成不導(dǎo)電的氧化鋁,通過該器件的電流十分小。PI封裝雖然對(duì)有機(jī)器件存在保護(hù)作用,但封裝過程中器件性能會(huì)受到影響,大幅度下降。環(huán)氧樹脂封裝的器件性能的測試結(jié)果表明,這種方法在封裝時(shí)對(duì)器件有很大的影響,可以在一定時(shí)間內(nèi)起到保護(hù)作用,器件的整流特性最終會(huì)被環(huán)氧樹脂材料完全破壞,導(dǎo)致二極管雖然未受環(huán)境影響,卻變?yōu)殡娮杵骷。薄膜與環(huán)氧樹脂復(fù)合封裝的器件性能依然有所衰退,但這種方法封裝的器件受環(huán)氧樹脂影響較小,可以看出薄膜封裝在已固化的環(huán)氧樹脂和器件之間可以起到一定的阻隔作用,但不能完全消除環(huán)氧樹脂對(duì)器件的影響。薄膜與PI復(fù)合封裝方法對(duì)于器件有很強(qiáng)的保護(hù)作用,器件在封裝過程中幾乎不會(huì)受到影響,同時(shí)PI薄膜也能起到對(duì)器件的保護(hù)作用。器件的閾值電壓上升較慢,從0.28V變?yōu)?.4V,斜率為1.65×10~(-2),輸出電阻趨于穩(wěn)定,為1.1×10~4?,電導(dǎo)率下降為2.4×10~(-8)S/cm,但下降趨勢不斷減緩。濕度較高的條件下對(duì)器件進(jìn)行測試,未封裝器件在高濕度時(shí)無法正常工作,但在測試后會(huì)有一定的性能恢復(fù),但濕度測試對(duì)器件影響較大,會(huì)加速環(huán)境對(duì)器件的破壞。薄膜與PI復(fù)合封裝的二極管仍能良好運(yùn)行,且各項(xiàng)性能與在正常環(huán)境中變化不大,器件受濕度影響很小。
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TN321.5
【圖文】:

有機(jī)二極管


哈爾濱理工大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文解決器件在傳統(tǒng)玻璃或金屬后蓋式封裝時(shí)遇到的后蓋質(zhì)量過形的問題,并且用 PI 材料封裝的方法成本低、封裝效果更好I 封裝得到垂直結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜器件的 PI 封裝方法中,需將與玻璃基 薄膜覆蓋于器件制備完成的玻璃基板上,在 PI 薄膜與玻璃襯用環(huán)氧樹脂連接密封,防止空氣以及其他微小粒子接觸器件光固化 1 小時(shí),此時(shí)環(huán)氧樹脂由液態(tài)變?yōu)楣虘B(tài),不再具有流器件結(jié)構(gòu)如圖 3-5 所示。

有機(jī)二極管,酞菁銅薄膜,薄膜器件


圖 3-8 酞菁銅薄膜與 PI 復(fù)合封裝的有機(jī)二極管Fig.3-8 Organic diode encapsulated by CuPc and PI films機(jī)薄膜器件的測試試電路中制備的垂直結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜二極管的金屬 Cu 電極為陽極,A測試電路及等效電路分別如圖 3-9 a)和 b)所示。AlCuPcCu

二極管,測試電路,酞菁銅薄膜,有機(jī)薄膜器件


圖 3-8 酞菁銅薄膜與 PFig.3-8 Organic diode encap3.3 有機(jī)薄膜器件的測試3.3.1 測試電路本文中制備的垂直結(jié)構(gòu)有機(jī)薄膜二陰極,其測試電路及等效電路分別如圖

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