【摘要】：近二十年來,有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)由于其視角寬、節(jié)省能源、材料來源多且環(huán)保、質(zhì)量輕薄、可制備大尺寸柔性彎折顯示等眾多的突出優(yōu)點(diǎn),引起了學(xué)術(shù)界與制造界的高度重視,被人們稱作新世紀(jì)最有發(fā)展前景的高科技領(lǐng)域之一。經(jīng)過各國科研人員的潛心研究,OLED經(jīng)歷了飛速的發(fā)展過程,現(xiàn)已在顯示和照明的消費(fèi)市場上占據(jù)了重要的位置,已基本從實(shí)驗(yàn)階段過渡到了產(chǎn)品化階段。在這其中,白光有機(jī)電致發(fā)光器件(WOLEDs)尤為重要,通常來說,它的用途涵蓋照明、LCD的背光源、特殊光源等。作為光源,WOLEDs展現(xiàn)出了較大的應(yīng)用潛力,尤其是具有高顯色指數(shù)(CRI)的超薄、透明WOLEDs可作為下一代理想照明光源而備受矚目。一般地,對于WOLEDs而言,其白光的形成是通過紅綠藍(lán)(RGB)三基色和藍(lán)黃(BY)兩基色發(fā)光材料混合,即多個(gè)發(fā)光層同時(shí)發(fā)光實(shí)現(xiàn)的。但是這種結(jié)構(gòu)的器件制作流程稍微復(fù)雜,增加了成本,且對于BY白光器件而言,其顯色指數(shù)一般低于70,不滿足實(shí)際照明光源的性能需求。到目前為止,對于大多數(shù)的WOLEDs器件而言,其制作材料都是熒光和磷光小分子、聚合物無定型材料。其自身存在的分子排列無序、雜質(zhì)含量高以及載流子遷移率低的缺點(diǎn)嚴(yán)重限制了高效率、低功耗的WOLEDs的發(fā)展。由此,研究者尋找到了代替?zhèn)鹘y(tǒng)發(fā)光材料的新型半導(dǎo)體光電功能材料-有機(jī)晶體。相比之下,有機(jī)半導(dǎo)體晶體材料分子內(nèi)部排列是高度有序型的,并且雜質(zhì)含量和缺陷較少,因而載流子遷移率比無定型材料要高。這決定了其在OLED、有機(jī)半導(dǎo)體激光器和場效應(yīng)晶體管領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。歷史上,Pope等人第一次將蒽晶體材料用于電致發(fā)光器件,成功地開啟了基于有機(jī)晶體半導(dǎo)體材料的OLEDs發(fā)展道路。并且經(jīng)過人們的不斷努力,近幾年,有關(guān)基于有機(jī)晶體半導(dǎo)體材料的發(fā)光二極管器件的制備的報(bào)道也相繼發(fā)表了出來。因此,在這篇論文當(dāng)中,我們介紹了利用摻雜的方法實(shí)現(xiàn)基于有機(jī)晶體的白光發(fā)光二極管器件的制備。在這種方法中,我們以BSB-Me藍(lán)光晶體材料作為主體,向其中摻雜并四苯和并五苯依次作為綠光和紅光的摻雜劑,在這樣的雙摻雜體系內(nèi),主體通過F?rster能量轉(zhuǎn)移方式將能量傳遞給兩種客體材料,通過調(diào)配兩種客體分子材料的摻雜比例,使得主體材料和客體材料的熒光峰值接近,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)均勻的白光發(fā)射。相比于傳統(tǒng)的兩發(fā)光層或多發(fā)光層白光器件來說,器件的發(fā)光層是單一的摻雜晶體材料,器件結(jié)構(gòu)簡單,制備過程容易,此外,由于白光成分包含紅綠藍(lán)三基色光成分,因而可實(shí)現(xiàn)高顯色指數(shù)的白光器件。
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TN383.1
【圖文】：

而對于 n 型有機(jī)晶體材料來說，其遷移率也實(shí)現(xiàn)如 由 Molinari A S 等 人 的 研 究 團(tuán) 隊(duì)e-3,4:9,10-bis(dicarboximide) (PDIF-CN2)[7, 8]，并且通過過的大多數(shù)有機(jī)晶體材料中，不僅發(fā)光效率高，且載別主要包括低聚噻吩聚合物、稠環(huán)芳香烴類聚合物以四苯、并五苯這種稠環(huán)芳香烴材料，分子的排布呈平底是平齊的，高度有序的結(jié)構(gòu)使其載流子遷移率與無噻吩和苯的齊聚物是近幾年報(bào)道過的熒光量子效率較 等人已證實(shí)在 BP3T 材料中，PL 量子效率有 80%之高的紅熒烯等材料。近幾年的晶體生長制備技術(shù)不斷地逐漸向大尺寸發(fā)展，促進(jìn)了這種類型材料應(yīng)用于 OL應(yīng)晶體管等光電器件中。

要的溶劑包括三氯甲烷、甲苯、氯苯等。例如曾報(bào)道出的鮑哲楠團(tuán)隊(duì)的一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)當(dāng)中[11]，就使用間二甲苯同 CCl4的溶液溶解了 C60，而后將溶液轉(zhuǎn)移到處理過的Si 片上，接下來等待其中的溶劑揮發(fā)掉即可獲得 C60晶體，呈條狀結(jié)構(gòu)。條形的有機(jī)晶體本身易于制備成 FETs，經(jīng)測試，電子的遷移率超過了 10 cm2/vs，此后關(guān)于此方法制備晶體的報(bào)道也不乏少數(shù)。（2）緩慢冷卻法緩慢冷卻法是指將一些目標(biāo)晶體材料溶解于相匹配的溶劑中后，對溶液進(jìn)行加熱使其超過室溫，此時(shí)，材料的溶解度迅速增大，最終為飽和狀態(tài)，接下來，令溶液自行降溫，這是一個(gè)緩慢釋放熱量的過程，在此過程中，晶體材料的微小晶核逐漸顯露，隨后，溶液不斷向外釋放熱量，更多晶體材料析出并以之前的晶核為基礎(chǔ)成長為大的晶體，其尺寸能達(dá)到毫米尺度。我們所知曉的紅熒烯晶體就可通過這種方法來獲得。且得到的紅熒烯晶體的大小在毫米級別，測試基于紅熒烯晶體的場效應(yīng)晶體管的遷移率也實(shí)現(xiàn)了 1.6 cm2/vs[12]。

預(yù)先將目標(biāo)晶體材料置于高溫度區(qū)間，這個(gè)就是升華性氣體對材料進(jìn)行輸運(yùn)（比如氬氣），生長時(shí)，晶體材料被載氣結(jié)晶，這個(gè)生長環(huán)境目前包括封閉石英管、半封閉石英管以及開 1.3 所示，封閉的裝置在生長制備晶體時(shí)，會有額外的中間產(chǎn)物此衍生出了半封閉的系統(tǒng)，可以通過在一端抽真空從而方便去除較而言，開放式的裝置更加便捷容易。晶體材料在高溫度區(qū)間被華溫度點(diǎn)而開始升華，但其中的雜質(zhì)由于升華點(diǎn)與晶體不同，不最終在低溫度區(qū)間得到的晶體就能最大化的降低雜質(zhì)含量，雜在于晶體中，就變成熒光淬滅點(diǎn)和載流子復(fù)合區(qū)，嚴(yán)重限制器件的過程不僅能使晶體最終的形態(tài)為薄片狀，更能獲得高質(zhì)量的單晶美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的 Kloc 及其同事的努力得到的成果[16]，對于目大尺寸（目前甚至達(dá)到了厘米級別）的有機(jī)晶體材料大有裨益，的增大無疑是更有益于制備種類繁多的新型光電器件。

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 王歡;高質(zhì)量有機(jī)晶體制備、生長機(jī)制探索與光電性質(zhì)研究[D];吉林大學(xué);2011年

2 解增旗;苯基取代二苯乙烯基苯衍生物的晶體結(jié)構(gòu)與光電性能[D];吉林大學(xué);2007年

本文編號：2749426