【摘要】：太赫茲焦平面成像技術(shù)在安檢成像、材料研究、無損檢測(cè)等方面有著廣闊的應(yīng)用前景,備受國(guó)內(nèi)外研究學(xué)者及機(jī)構(gòu)的廣泛關(guān)注。由于太赫茲波頻率高、波長(zhǎng)短,在太赫茲成像系統(tǒng)中進(jìn)行芯片的封裝及電路互連非常困難,不僅加工難度大,而且對(duì)系統(tǒng)中電路的性能影響明顯。本文以檢測(cè)人體隱匿危險(xiǎn)物品為應(yīng)用背景,采用倒裝焊封裝方式,重點(diǎn)研究了太赫茲焦平面成像接收機(jī)中電路的互連技術(shù)與封裝結(jié)構(gòu)。主要工作包括以下幾部分:一.太赫茲焦平面成像系統(tǒng)中電路互連與封裝方案的確定。為適應(yīng)太赫茲集成電路逐漸向小型化、多功能化、低功耗、高集成度等方向發(fā)展的趨勢(shì),本文提出倒裝焊互連封裝方案。分析了倒裝焊封裝方式的特點(diǎn)及工藝流程,提出了適合于應(yīng)用背景的倒裝焊封裝方案。二.倒裝焊封裝方案電磁特性的分析。分別在太赫茲頻段和中頻頻段對(duì)倒裝焊結(jié)構(gòu)的電磁特性進(jìn)行分析,重點(diǎn)分析了太赫茲頻段倒裝焊結(jié)構(gòu)對(duì)天線性能的影響以及中頻頻段倒裝焊結(jié)構(gòu)對(duì)電路傳輸性能的影響。三.倒裝焊封裝結(jié)構(gòu)下探測(cè)芯片單像素建議結(jié)構(gòu)及陣列布局方案的提出�；诘寡b焊結(jié)構(gòu)對(duì)太赫茲成像前端的影響,提出適合于倒裝焊封裝的單像素天線集成探測(cè)芯片建議結(jié)構(gòu)。在單像素探測(cè)芯片的基礎(chǔ)上,基于工藝限制提出了4×4探測(cè)芯片陣列布局方案。以上三個(gè)部分分別為倒裝焊技術(shù)在太赫茲成像前端中的應(yīng)用可行性分析、微波性能分析以及結(jié)構(gòu)改進(jìn)分析,為倒裝焊結(jié)構(gòu)在太赫茲系統(tǒng)中的應(yīng)用奠定了理論基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】：北京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN405

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本文編號(hào)：2741302