基于ZnO納米復合材料紫外光電探測器的制備與性能研究
【學位授予單位】:長春工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TB33;TN23
【圖文】:
由于熱探測器在光照條件下的光響應速度緩慢并且對光譜無,擁有良好的光響應率以及在特定波段條件下的光電探測器成為紫擇條件[21]。由于光照引起的光電效應分為內(nèi)光電效應和外光電效主要分為:光伏型、光電導型、和光電子發(fā)射型探測器。探測器所根據(jù)的原理則為光生伏特效應,當一種半導體與另一種半接觸后,兩者之間會形成一個勢壘區(qū),在一定波長的光照條件下,光生電子空穴對則會移動到勢壘區(qū),會產(chǎn)生一個內(nèi)部光生電動勢探測器分為肖特基型、p-n/p-i-n 型、金屬一半導體-金屬型(M極管這幾種。型探測器是由半導體材料與一個肖特基接觸及一個歐姆接觸組成會形成一個肖特基勢壘,如圖 1-1 所示。其具有良好的整流特性,和金屬之間的功函數(shù)決定。半導體在一定波長的光照射下,半導體電子空穴對,在整流區(qū)域的作用下從而形成光電流,相比于金屬一測器,肖特基型探測器具有暗電流低、所需外部電壓低,光電流穩(wěn)
第 1 章 緒 論 所示。半導體材料由于 p-n 結(jié)而形成一個內(nèi)建電體材料中激發(fā)的光生電子空穴對在內(nèi)建電場作用n 區(qū)移動和 P 區(qū)移動,通過外循環(huán)電路形成光電流為了獲得更低的暗電流以及靈敏度高的紫外探測夠有效的提高器件的響應速度,人們通過在兩種層以有效的增大結(jié)區(qū)的寬度,這就是所謂的 p-引入高阻本征半導體層,但是由于 p-i-n 結(jié)型探工作原理是一樣的,因此會使得結(jié)電容變小,當結(jié)電容會進步下降,因此在高頻下 p-i-n 結(jié)型探得探測器只有不高的光響應電流,造成輸出信器都具有較低的暗電流、較高的響應速度、在 0
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本文編號:2738865
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