【摘要】：薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的應(yīng)用日益廣泛,人們對液晶顯示器的性能要求越來越高,同時對于畫面品質(zhì)要求也越來越嚴(yán)格。寬視角、高對比、低功耗、快速響應(yīng)是顯示器性能提升的主要方向,而殘像、彩暈(Mura)類不良,是影響產(chǎn)品品質(zhì)的重要因素。殘像問題會伴隨著點燈、開機(jī)畫面時間的延長,而變嚴(yán)重。解決殘像問題,成為TFT面板生產(chǎn)廠家一直持續(xù)性待解決的問題。為了改善公司面板殘像不良,提升產(chǎn)品品質(zhì),通過各項改善實驗的展開,對殘像進(jìn)行有效的改善。殘像形成的兩個基本條件:離子型不純物與直流偏置電壓。離子型不純物在盒內(nèi)受殘留直流偏置電壓影響,而形成殘像不良。殘像的影響原因較多,如產(chǎn)品畫素設(shè)計、產(chǎn)品制程條件、光學(xué)、材料等多方面影響。本文主要通過畫素設(shè)計與面板驅(qū)動優(yōu)化、制程改善、及材料變更,驗證出殘像改善最佳制程條件,同時導(dǎo)入二次供應(yīng)商材料,改善產(chǎn)品殘像不良,達(dá)成公司的采購戰(zhàn)略目標(biāo)。主要研究如下:(1)畫素設(shè)計方面,主要通過調(diào)整公共極電壓與灰階補(bǔ)正,改善耦合電壓對殘像的影響。同時將薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)與彩色濾光片(Color Filter,CF)公共電極分離,給不同輸入電壓;以及對于垂直取向排列(vertically aligned,VA)產(chǎn)品多疇設(shè)計,調(diào)整電容壓降,解決殘像是可行的。(2)面板驅(qū)動方面,面板伽馬(Gamma)的驅(qū)動電壓調(diào)整,殘像改善效果明顯,并導(dǎo)入量產(chǎn)機(jī)種。(3)制程方面改善,主要調(diào)整氮化硅膜層結(jié)構(gòu)及膜質(zhì),改善由于Si-H、Si-Si鍵斷裂,弱鍵被轉(zhuǎn)化成帶正電荷或帶負(fù)電荷的懸空鍵。同時優(yōu)化非晶硅殘膜厚度,避免磷元素擴(kuò)散到非晶硅層造成背溝道漏電流,從而改善漏電流對殘像的影響。(4)材料方面改善,驗證不同廠家的液晶及配向膜材料,抑制材料離子不純物的析出。配向膜材料對殘像的影響,配向膜的電壓保持率(VHR)值越高越好,一般要求常溫下,電壓保持率在98%以上。對比分析,液晶離子的密度越高,殘像不良風(fēng)險越高。本文通過驗證得出A公司較B公司液晶Δε(介電常數(shù)異向性)大,同時A公司改版后,液晶極性分子較多,殘像較改版前液晶有改善。玻璃基板在制程過程當(dāng)中,為降低剝離清洗引入的離子不純物,對半導(dǎo)體器件溝道的影響,材料供應(yīng)商減少剝離液的添加劑成分,進(jìn)行產(chǎn)品實驗。實驗過程當(dāng)中,發(fā)現(xiàn)減少剝離液的添加劑成分,還是無法去除器件溝道內(nèi)的不純物。推測璃基板在制程過程當(dāng)中,引入的離子不純物,對TFT器件溝道影響,在后制程成膜、干蝕刻過程當(dāng)中被氧化,進(jìn)一步失去導(dǎo)電作用,對殘像無顯著影響。
【學(xué)位授予單位】：華南理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TN873.93;TN321.5
【圖文】：

華南理工大學(xué)工程碩士學(xué)位論文形成兩個基本條件：1. 液晶驅(qū)動上存在直流偏置電壓（圖 1-2 直流偏置電盒內(nèi)存在離子型不純物（圖 1-3 配相膜與液晶界面誘導(dǎo)不純離子聚集）。

2圖 1-3 配相膜與液晶界面誘導(dǎo)不純離子聚集膜，ITO 是像素電極，Mobile ions 是移動離子，LC 是中，液晶盒內(nèi)出現(xiàn)正負(fù)驅(qū)動電壓的不對稱，素設(shè)計、制程材料、以及在工藝制備過程當(dāng)中純物，直流偏置電壓會吸附盒內(nèi)離子雜質(zhì)，當(dāng)離配向?qū)颖砻娴氖`，在離子聚集處與其他區(qū)[2]。升產(chǎn)品信賴性品質(zhì)的同時，進(jìn)一步提升公司產(chǎn)根據(jù)殘像形成的條件，可以通過降低離子聚集，

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本文編號：2719892