憶阻器多渦卷及隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)的研究與設(shè)計
【學(xué)位授予單位】:湖南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O415.5;TN60
【圖文】:
伯成等人提出了一個電學(xué)特性完全符合憶阻器特管橋電路[28]。如圖 1.1 所示,該憶阻二極管橋電礎(chǔ)上與一個二極管橋電路并聯(lián)得到。該文獻推導(dǎo)達式,并利用 Matlab 仿真分析了該憶阻模擬器的實驗結(jié)果和仿真結(jié)果相一致。與其他憶阻模擬器元器件,僅僅由四個二極管、一個電容和一個電特性可靠、便于單片集成等優(yōu)點。適用于憶阻電信號的產(chǎn)生與應(yīng)用。這使得其具備一定的實際應(yīng)engne 等人,利用該憶阻二極管橋電路替換 Jerk新的憶阻器混沌系統(tǒng)[29]。分析發(fā)現(xiàn)該混沌系統(tǒng)具周期分岔、點吸引子、極限環(huán)、共存的混沌吸引,包伯成等人利用該憶阻二極管橋電路替換蔡氏一個新的基于憶阻器的蔡氏混沌系統(tǒng),并研究了
24.5 -3 -2 1 1 2 34.5 -3 -2 1 1 2 3WRR (3令 Rd= 1 ,RM= 100k ,CM= 10nF,所設(shè)計的憶阻器模擬電路如圖 3.5 。在圖 3.5 中有六組開關(guān),這些開關(guān)的閉合能夠控制該電路所模擬的憶阻器,具體設(shè)置如表 3.1 所示。如果 S0,S1,S2,S4閉合,S3,S5打開,并且 E = 3.么該憶阻器模擬電路模擬的是 W1(φ) (N = 2)。如果 S0,S1,S2,S3,S5閉合4打開, 并且 E = 4.5,那么該憶阻器模擬電路模擬的是 W2(φ) (N = 2)。表 3.1 六組開關(guān)開閉集S0S1S2S3S4S5E 憶阻器類型on off off off on off 1.5 W1(φ) (N = 1)on on on off on off 3.5 W1(φ) (N = 2)on on off off off on 2.5 W2(φ) (N = 1)on on on on off on 4.5 W2(φ) (N = 2)
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