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憶阻器多渦卷及隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)的研究與設(shè)計

發(fā)布時間:2020-06-14 20:12
【摘要】:與一般的混沌系統(tǒng)相比,多渦卷混沌系統(tǒng)具有更加復(fù)雜的動力學(xué)特性,因此其更適合隨機數(shù)發(fā)生器、混沌加密、混沌保密通信等應(yīng)用領(lǐng)域。但是一般的多渦卷混沌系統(tǒng)存在電路實現(xiàn)復(fù)雜、功耗大且不易集成的缺點。利用憶阻器來替換一般多渦卷混沌系統(tǒng)中的非線性部分,不僅能降低混沌電路的能耗,還能減小混沌電路的尺寸。因此設(shè)計憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng),具有非常重要的實際意義和應(yīng)用價值。近些年來,隱藏吸引子混沌系統(tǒng)陸續(xù)被發(fā)現(xiàn),由于無法通過擴展不穩(wěn)定的鞍焦平衡點來得到隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)。因此需要尋找新的方法來得到隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)。在對憶阻器、憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng)和隱藏吸引子混沌系統(tǒng)相關(guān)文獻的研究基礎(chǔ)上,提出了兩種新的多分段線性光滑憶阻器模型、一個憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng)和一個隱藏吸引子多渦卷超混沌系統(tǒng)。主要創(chuàng)新點和研究成果如下:(1)提出了兩種新的多分段線性光滑憶阻器模型,利用分立元器件搭建了這兩種憶阻器模型的硬件實驗電路,驗證了這兩種憶阻器模型設(shè)計的正確性。同時,基于這兩種憶阻器模型,提出了一個新的可產(chǎn)生2N渦卷和2N+1渦卷混沌吸引子的憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng)。利用李氏指數(shù)圖、分岔圖和吸引子相圖等動力學(xué)分析方法,分析了此憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng)的動力學(xué)特性,分析結(jié)果發(fā)現(xiàn)該混沌系統(tǒng)還具有極其復(fù)雜的動力學(xué)特性包括倍周期分岔、點吸引子、極限環(huán)、共存的多渦卷混沌吸引子等。最后,對所提出的憶阻器多渦卷混沌系統(tǒng)進行了硬件設(shè)計,電路實驗結(jié)果與Matlab仿真結(jié)果相一致。(2)提出了一個隱藏吸引子多渦卷超混沌系統(tǒng)。與其他隱藏吸引子超混沌系統(tǒng)相比,本文提出的隱藏吸引子超混沌系統(tǒng)可產(chǎn)生N+M+2渦卷的隱藏吸引子;與其他隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)相比,本文提出的隱藏吸引子多渦卷混沌系統(tǒng)是超混沌,而且其整體電路結(jié)構(gòu)簡單、易于利用分立元器件進行硬件實驗。利用李氏指數(shù)圖、分岔圖和吸引子相圖等動力學(xué)分析方法,分析了此隱藏吸引子多渦卷超混沌系統(tǒng)的動力學(xué)特性。利用分立元器件對所提出的隱藏吸引子多渦卷超混沌系統(tǒng)進行了硬件設(shè)計,電路實驗結(jié)果與Matlab仿真結(jié)果相一致。
【學(xué)位授予單位】:湖南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O415.5;TN60
【圖文】:

橋電路,二極管,憶阻器


伯成等人提出了一個電學(xué)特性完全符合憶阻器特管橋電路[28]。如圖 1.1 所示,該憶阻二極管橋電礎(chǔ)上與一個二極管橋電路并聯(lián)得到。該文獻推導(dǎo)達式,并利用 Matlab 仿真分析了該憶阻模擬器的實驗結(jié)果和仿真結(jié)果相一致。與其他憶阻模擬器元器件,僅僅由四個二極管、一個電容和一個電特性可靠、便于單片集成等優(yōu)點。適用于憶阻電信號的產(chǎn)生與應(yīng)用。這使得其具備一定的實際應(yīng)engne 等人,利用該憶阻二極管橋電路替換 Jerk新的憶阻器混沌系統(tǒng)[29]。分析發(fā)現(xiàn)該混沌系統(tǒng)具周期分岔、點吸引子、極限環(huán)、共存的混沌吸引,包伯成等人利用該憶阻二極管橋電路替換蔡氏一個新的基于憶阻器的蔡氏混沌系統(tǒng),并研究了

憶阻器,電路實驗,模擬電路,組開關(guān)


24.5 -3 -2 1 1 2 34.5 -3 -2 1 1 2 3WRR (3令 Rd= 1 ,RM= 100k ,CM= 10nF,所設(shè)計的憶阻器模擬電路如圖 3.5 。在圖 3.5 中有六組開關(guān),這些開關(guān)的閉合能夠控制該電路所模擬的憶阻器,具體設(shè)置如表 3.1 所示。如果 S0,S1,S2,S4閉合,S3,S5打開,并且 E = 3.么該憶阻器模擬電路模擬的是 W1(φ) (N = 2)。如果 S0,S1,S2,S3,S5閉合4打開, 并且 E = 4.5,那么該憶阻器模擬電路模擬的是 W2(φ) (N = 2)。表 3.1 六組開關(guān)開閉集S0S1S2S3S4S5E 憶阻器類型on off off off on off 1.5 W1(φ) (N = 1)on on on off on off 3.5 W1(φ) (N = 2)on on off off off on 2.5 W2(φ) (N = 1)on on on on off on 4.5 W2(φ) (N = 2)

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本文編號:2713295

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