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提高倒裝LED芯片成品可靠性的方法研究

發(fā)布時間:2020-06-11 17:23
【摘要】:發(fā)光二極管(LED)以其節(jié)能、環(huán)保的特點廣泛應(yīng)用在顯示照明等領(lǐng)域,LED芯片主要分為正裝,倒裝,垂直三種結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)正裝LED芯片相比,倒裝LED芯片具有更優(yōu)異的性能表現(xiàn);相對于垂直LED結(jié)構(gòu),倒裝結(jié)構(gòu)具有制作過程簡單,良率高的優(yōu)勢。實際應(yīng)用中,倒裝芯片多采用芯片焊接的方案,相比正裝與垂直結(jié)構(gòu)的電極打線焊接,焊接面積要大的多,面臨著封裝時芯片可靠性問題。本文以上海映瑞光電科技有限公司開發(fā)的倒裝芯片為例,研究發(fā)現(xiàn):倒裝LED芯片的封裝失效,主要源自芯片側(cè)壁和芯片電極面兩種失效模式;通過芯片隔離,側(cè)壁防護,使用材料的改進,以及特殊的防頂針設(shè)計等,成功規(guī)避了這兩種失效機制,大幅降低了芯片封裝的產(chǎn)品不良。圍繞倒裝LED芯片焊接的可靠性問題,從芯片設(shè)計到封裝使用過程,進行了不同程度的改進,論文的主要工作如下:1、對倒裝芯片常見的失效進行解析,明確了失效模型來自P電極處側(cè)壁和頂針作業(yè)異常。2、針對的側(cè)壁和頂針失效模型進行實驗研究,包括采用芯片隔離、頂針防護等技術(shù)方案,對比確認了方案具備可行性與實際效果的改善。3、總結(jié)分析測試結(jié)果,進一步優(yōu)化和改善技術(shù)方案,通過金屬膜層角度優(yōu)化,解決新出現(xiàn)N電極處的失效模型。4、對最終LED倒裝芯片產(chǎn)品,進行可靠性測試與論證。5、針對有待進一步解決的問題,提出了建議,包含不同絕緣材料的驗證和金屬角度優(yōu)化等。
【學(xué)位授予單位】:大連理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN312.8;TN405

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 連程杰;;LED芯片倒裝技術(shù)簡述[J];長江大學(xué)學(xué)報(自科版);2013年31期

2 胡溢文;;發(fā)光二極管倒裝式封裝新技術(shù)[J];光源與照明;2013年02期

3 郭雄偉;董超俊;;基于ICP刻蝕GaN選擇比的研究[J];現(xiàn)代顯示;2011年11期

4 周f,

本文編號:2708218


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