【摘要】：發(fā)光二極管(LED)以其節(jié)能、環(huán)保的特點(diǎn)廣泛應(yīng)用在顯示照明等領(lǐng)域,LED芯片主要分為正裝,倒裝,垂直三種結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)正裝LED芯片相比,倒裝LED芯片具有更優(yōu)異的性能表現(xiàn);相對(duì)于垂直LED結(jié)構(gòu),倒裝結(jié)構(gòu)具有制作過(guò)程簡(jiǎn)單,良率高的優(yōu)勢(shì)。實(shí)際應(yīng)用中,倒裝芯片多采用芯片焊接的方案,相比正裝與垂直結(jié)構(gòu)的電極打線(xiàn)焊接,焊接面積要大的多,面臨著封裝時(shí)芯片可靠性問(wèn)題。本文以上海映瑞光電科技有限公司開(kāi)發(fā)的倒裝芯片為例,研究發(fā)現(xiàn):倒裝LED芯片的封裝失效,主要源自芯片側(cè)壁和芯片電極面兩種失效模式;通過(guò)芯片隔離,側(cè)壁防護(hù),使用材料的改進(jìn),以及特殊的防頂針設(shè)計(jì)等,成功規(guī)避了這兩種失效機(jī)制,大幅降低了芯片封裝的產(chǎn)品不良。圍繞倒裝LED芯片焊接的可靠性問(wèn)題,從芯片設(shè)計(jì)到封裝使用過(guò)程,進(jìn)行了不同程度的改進(jìn),論文的主要工作如下:1、對(duì)倒裝芯片常見(jiàn)的失效進(jìn)行解析,明確了失效模型來(lái)自P電極處側(cè)壁和頂針作業(yè)異常。2、針對(duì)的側(cè)壁和頂針失效模型進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究,包括采用芯片隔離、頂針?lè)雷o(hù)等技術(shù)方案,對(duì)比確認(rèn)了方案具備可行性與實(shí)際效果的改善。3、總結(jié)分析測(cè)試結(jié)果,進(jìn)一步優(yōu)化和改善技術(shù)方案,通過(guò)金屬膜層角度優(yōu)化,解決新出現(xiàn)N電極處的失效模型。4、對(duì)最終LED倒裝芯片產(chǎn)品,進(jìn)行可靠性測(cè)試與論證。5、針對(duì)有待進(jìn)一步解決的問(wèn)題,提出了建議,包含不同絕緣材料的驗(yàn)證和金屬角度優(yōu)化等。
【學(xué)位授予單位】：大連理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類(lèi)號(hào)】：TN312.8;TN405

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 連程杰;;LED芯片倒裝技術(shù)簡(jiǎn)述[J];長(zhǎng)江大學(xué)學(xué)報(bào)(自科版);2013年31期

2 胡溢文;;發(fā)光二極管倒裝式封裝新技術(shù)[J];光源與照明;2013年02期

3 郭雄偉;董超俊;;基于ICP刻蝕GaN選擇比的研究[J];現(xiàn)代顯示;2011年11期

4 周f，

本文編號(hào)：2708218