熱阻塞效應(yīng)對(duì)激光輻照靶材燒蝕過(guò)程的影響分析
發(fā)布時(shí)間:2020-05-28 00:58
【摘要】:研究了百兆瓦級(jí)激光燒蝕碳/碳復(fù)合材料靶材產(chǎn)生的等離子體吸收激光束能量引起的熱阻塞效應(yīng)。首先,基于逆軔致吸收理論,建立了激光在燒蝕靶材產(chǎn)生的等離子體中的傳播模型;然后,基于磁流體理論,得到了等離子體在百兆瓦級(jí)激光形成的電磁場(chǎng)中的波動(dòng)方程,建立了等離子體吸收激光能量引起熱阻塞效應(yīng)的模型。最后,對(duì)燒蝕過(guò)程中粒子的總密度、吸收系數(shù)、靶材表面等效熱流隨激光持續(xù)時(shí)間的變化規(guī)律以及是否考慮熱阻塞效應(yīng)時(shí),靶面垂直方向的溫度場(chǎng)進(jìn)行了數(shù)值模擬。結(jié)果表明:等離子體的形成,對(duì)激光形成了明顯的熱阻塞效應(yīng),削弱了激光對(duì)靶材的燒蝕作用,使粒子總密度、吸收系數(shù)、靶材表面等效熱流以及靶面垂直方向溫度場(chǎng)的變化均呈現(xiàn)為非線(xiàn)性。
【圖文】:
)criticaldensitync/cm-352144.04×10209.72×10-42.91×1072453.69.86×1020脈沖結(jié)束時(shí)等離子體溫度為15000K,并將初始參數(shù)代入耦合關(guān)系進(jìn)行計(jì)算,得到激光輻照靶材引起等離子體熱阻塞效應(yīng)的規(guī)律。2.1吸收系數(shù)及靶材表面熱流隨時(shí)間變化規(guī)律分析Fig.1Developmentofdensitywithdifferenttime圖1粒子密度隨時(shí)間的變化總粒子密度隨著激光持續(xù)時(shí)間的變化規(guī)律如圖1所示。密度曲線(xiàn)的變化趨勢(shì)說(shuō)明了膨脹初期密度是迅速下降的,然后在10~18ns附近有一個(gè)相對(duì)平穩(wěn)的階段,然后密度再次下降。這是因?yàn)殡S著電子密度的增加等離子體逐漸形成,對(duì)激光的吸收也不斷增加,產(chǎn)生了熱阻塞效應(yīng),靶材表面接受的激光輻照功率隨之降低,引起燒蝕速率的減小,,即燒蝕產(chǎn)生的粒子數(shù)減少,密度因此受到影響。圖2和圖3體現(xiàn)了吸收系數(shù)和靶材表面激光功率隨時(shí)間變化的規(guī)律。從圖2中可以看出,吸收系數(shù)在約17ns以后開(kāi)始增加,到達(dá)靶材表面的激光功率在滯后約17ns以后開(kāi)始下降,這說(shuō)明電子密度足夠高的等離子體開(kāi)始形成,也印證了圖1中約20ns后密度再次下降的原因。圖3中的曲線(xiàn)在后半段有減緩趨勢(shì),這是因?yàn)殡S著等離子體的膨脹和逆軔致系數(shù)的增加,等離子體會(huì)吸收部分甚至大部分入射的激光能量,使等離子體溫度和電子密度升高,但這會(huì)引起到達(dá)靶材表面的激光能量變Fig.2Absorptioncoefficientchangeswithtime圖2吸收系數(shù)隨時(shí)間變化Fig.3Equivalentheatfluxonsur
化規(guī)律分析Fig.1Developmentofdensitywithdifferenttime圖1粒子密度隨時(shí)間的變化總粒子密度隨著激光持續(xù)時(shí)間的變化規(guī)律如圖1所示。密度曲線(xiàn)的變化趨勢(shì)說(shuō)明了膨脹初期密度是迅速下降的,然后在10~18ns附近有一個(gè)相對(duì)平穩(wěn)的階段,然后密度再次下降。這是因?yàn)殡S著電子密度的增加等離子體逐漸形成,對(duì)激光的吸收也不斷增加,產(chǎn)生了熱阻塞效應(yīng),靶材表面接受的激光輻照功率隨之降低,引起燒蝕速率的減小,即燒蝕產(chǎn)生的粒子數(shù)減少,密度因此受到影響。圖2和圖3體現(xiàn)了吸收系數(shù)和靶材表面激光功率隨時(shí)間變化的規(guī)律。從圖2中可以看出,吸收系數(shù)在約17ns以后開(kāi)始增加,到達(dá)靶材表面的激光功率在滯后約17ns以后開(kāi)始下降,這說(shuō)明電子密度足夠高的等離子體開(kāi)始形成,也印證了圖1中約20ns后密度再次下降的原因。圖3中的曲線(xiàn)在后半段有減緩趨勢(shì),這是因?yàn)殡S著等離子體的膨脹和逆軔致系數(shù)的增加,等離子體會(huì)吸收部分甚至大部分入射的激光能量,使等離子體溫度和電子密度升高,但這會(huì)引起到達(dá)靶材表面的激光能量變Fig.2Absorptioncoefficientchangeswithtime圖2吸收系數(shù)隨時(shí)間變化Fig.3Equivalentheatfluxonsurfacechangeswithtime(I=4×108W/cm2)圖3靶材表面等效熱流隨時(shí)間變化(I=4×108W/cm2)姜學(xué)東等:熱阻塞效應(yīng)對(duì)激光輻照靶材燒蝕過(guò)程的影響分析
本文編號(hào):2684440
【圖文】:
)criticaldensitync/cm-352144.04×10209.72×10-42.91×1072453.69.86×1020脈沖結(jié)束時(shí)等離子體溫度為15000K,并將初始參數(shù)代入耦合關(guān)系進(jìn)行計(jì)算,得到激光輻照靶材引起等離子體熱阻塞效應(yīng)的規(guī)律。2.1吸收系數(shù)及靶材表面熱流隨時(shí)間變化規(guī)律分析Fig.1Developmentofdensitywithdifferenttime圖1粒子密度隨時(shí)間的變化總粒子密度隨著激光持續(xù)時(shí)間的變化規(guī)律如圖1所示。密度曲線(xiàn)的變化趨勢(shì)說(shuō)明了膨脹初期密度是迅速下降的,然后在10~18ns附近有一個(gè)相對(duì)平穩(wěn)的階段,然后密度再次下降。這是因?yàn)殡S著電子密度的增加等離子體逐漸形成,對(duì)激光的吸收也不斷增加,產(chǎn)生了熱阻塞效應(yīng),靶材表面接受的激光輻照功率隨之降低,引起燒蝕速率的減小,,即燒蝕產(chǎn)生的粒子數(shù)減少,密度因此受到影響。圖2和圖3體現(xiàn)了吸收系數(shù)和靶材表面激光功率隨時(shí)間變化的規(guī)律。從圖2中可以看出,吸收系數(shù)在約17ns以后開(kāi)始增加,到達(dá)靶材表面的激光功率在滯后約17ns以后開(kāi)始下降,這說(shuō)明電子密度足夠高的等離子體開(kāi)始形成,也印證了圖1中約20ns后密度再次下降的原因。圖3中的曲線(xiàn)在后半段有減緩趨勢(shì),這是因?yàn)殡S著等離子體的膨脹和逆軔致系數(shù)的增加,等離子體會(huì)吸收部分甚至大部分入射的激光能量,使等離子體溫度和電子密度升高,但這會(huì)引起到達(dá)靶材表面的激光能量變Fig.2Absorptioncoefficientchangeswithtime圖2吸收系數(shù)隨時(shí)間變化Fig.3Equivalentheatfluxonsur
化規(guī)律分析Fig.1Developmentofdensitywithdifferenttime圖1粒子密度隨時(shí)間的變化總粒子密度隨著激光持續(xù)時(shí)間的變化規(guī)律如圖1所示。密度曲線(xiàn)的變化趨勢(shì)說(shuō)明了膨脹初期密度是迅速下降的,然后在10~18ns附近有一個(gè)相對(duì)平穩(wěn)的階段,然后密度再次下降。這是因?yàn)殡S著電子密度的增加等離子體逐漸形成,對(duì)激光的吸收也不斷增加,產(chǎn)生了熱阻塞效應(yīng),靶材表面接受的激光輻照功率隨之降低,引起燒蝕速率的減小,即燒蝕產(chǎn)生的粒子數(shù)減少,密度因此受到影響。圖2和圖3體現(xiàn)了吸收系數(shù)和靶材表面激光功率隨時(shí)間變化的規(guī)律。從圖2中可以看出,吸收系數(shù)在約17ns以后開(kāi)始增加,到達(dá)靶材表面的激光功率在滯后約17ns以后開(kāi)始下降,這說(shuō)明電子密度足夠高的等離子體開(kāi)始形成,也印證了圖1中約20ns后密度再次下降的原因。圖3中的曲線(xiàn)在后半段有減緩趨勢(shì),這是因?yàn)殡S著等離子體的膨脹和逆軔致系數(shù)的增加,等離子體會(huì)吸收部分甚至大部分入射的激光能量,使等離子體溫度和電子密度升高,但這會(huì)引起到達(dá)靶材表面的激光能量變Fig.2Absorptioncoefficientchangeswithtime圖2吸收系數(shù)隨時(shí)間變化Fig.3Equivalentheatfluxonsurfacechangeswithtime(I=4×108W/cm2)圖3靶材表面等效熱流隨時(shí)間變化(I=4×108W/cm2)姜學(xué)東等:熱阻塞效應(yīng)對(duì)激光輻照靶材燒蝕過(guò)程的影響分析
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