大功率半導(dǎo)體器件寬阻抗范圍高精度的測(cè)試方法研究
【圖文】:
圖 1.1 為科銳(CREE)公司最新研制的大功率半導(dǎo)體器件 CGH40120F 的其作為一款基于氮化鎵材料的功率放大器,具有相當(dāng)優(yōu)異的性能,輸出功率 120W。從圖 1.1 中不難發(fā)現(xiàn),該功率器件輸入端口的反射系數(shù)約等于 1,全反射狀態(tài),輸出端口的反射系數(shù)也很大。在實(shí)際測(cè)量該半導(dǎo)體器件特性參測(cè)試儀器的測(cè)量精度和區(qū)分度的要求就會(huì)變得極為嚴(yán)苛,如果測(cè)試儀器的測(cè)區(qū)分度不足,利用傳統(tǒng)的測(cè)量方法勢(shì)必會(huì)產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差。針對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的這一突出問(wèn)題,本文將提出一種新型大功率半導(dǎo)體試方法,該方法能實(shí)現(xiàn)對(duì)大功率半導(dǎo)體器件寬阻抗范圍和高精度的測(cè)試。該測(cè)試夾具在實(shí)現(xiàn)固定被測(cè)器件(DUT)作用的同時(shí),也能實(shí)現(xiàn)一定的阻抗轉(zhuǎn)將矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的 50 Ω 端口阻抗轉(zhuǎn)換到與大功率半導(dǎo)體器件輸入阻抗和相近的一個(gè)阻抗值,從而減小測(cè)試系統(tǒng)和被測(cè)器件之間的失配問(wèn)題,提高測(cè)擴(kuò)展測(cè)試儀器的阻抗測(cè)試范圍。 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
.2.1 氮化鎵功率器件的研究現(xiàn)狀外對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料的研究起步較早,其研究也多以氮化鎵材料為率器件的研究最早可以追溯到 1993 年,,在這一年,Khan M A、Kuznirai A R 等人成功研制出了第一個(gè)具有穩(wěn)定直流工作點(diǎn)的氮化鎵高電子遷HEMT)[4];1996 年,WuY.F、KellerB.R、KellerS 等人成功研制出了鎵場(chǎng)效應(yīng)管,其輸出功率附加效率(PAE)超過(guò)了 18%[5];到了 1999 所示,在 XuJ.J、WuYF、KellerS 等人的努力下,成功研制出了全球GaN/GaN 的高電子遷移率晶體管,他們還利用這個(gè)晶體管設(shè)計(jì)出了寬,這款功率放大器在實(shí)現(xiàn)了頻率范圍從 1GHz 到 8GHz 全覆蓋的同時(shí),B 的小信號(hào)增益[6];隨后在 2000 年,科銳公司的 S.T.Sheppard、W.L制出了歷史上首個(gè)基于 GaN/AlGaN 高電子遷移率晶體管的功率放大器體集成于單片微波集成電路中,實(shí)現(xiàn)了在 10GHz 下接近 11dB 的信號(hào)增超過(guò) 40W,獲得了業(yè)界的一致贊許[7]。
【學(xué)位授予單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TN303
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本文編號(hào):2673849
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