一種可數(shù)字自校準(zhǔn)的環(huán)形振蕩器的設(shè)計(jì)
【圖文】:
影響也是不一的。其中,金屬電阻呈正溫度特性;多晶硅電阻接近;摻雜電阻則表現(xiàn)為負(fù)溫度特性,因?yàn)楸菊鬏d流子的濃度隨溫度升般來(lái)講,在設(shè)計(jì)中一般需要采用同一電阻來(lái)確保匹配,但在一些特兩種不同的電阻實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。在 CMOS 工藝中,電阻的絕對(duì)精個(gè)電阻的阻值偏差可能會(huì)超過(guò) 15%,所以應(yīng)用于精度要求較高的按照電阻的絕對(duì)值進(jìn)行設(shè)計(jì)的方式。的非理想特性:標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝庫(kù)中的電容也有許多種類型,金屬間的寄生效應(yīng)產(chǎn)生電容;PIP 電容由兩層多晶硅極板間的寄生P 電容和 MOM 電容的相對(duì)精度較高,而且非線性沒(méi)有 MOS 電容OS 電容主要由柵源極的寄生電容 Cgs、柵漏極寄生電容 Cgd 及柵電容 Cgb 組成。其中,Cgb 相對(duì)于 Cgs 與 Cgd 的值可忽略不計(jì)。線性的影響,MOS 電容會(huì)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的非線性。如圖 2-1 所示,,為作于飽和區(qū)時(shí),寄生電容的示意圖。MOS 器件工作在不同的區(qū)域生電容的狀態(tài)也不一樣。
圖 2-3 數(shù)字自校準(zhǔn)原理框圖Figure 2-3 The schematic diagram of digital self-calibration作原理為:通過(guò)可校準(zhǔn)電流 IC對(duì) RC 振蕩器中的電容 C1、C2 充放生芯片中數(shù)字算法部分需要的高頻高精度的時(shí)鐘信號(hào) CLK。把環(huán)形置電流設(shè)計(jì)成與熱力學(xué)溫度成正比的關(guān)系,則其輸出時(shí)鐘頻率會(huì)對(duì)溫敏感,相當(dāng)于一種“溫度傳感器”,然后把其輸出信號(hào) CLK_ref 作為數(shù)的參考時(shí)鐘信號(hào);數(shù)字自校準(zhǔn)模塊同時(shí)對(duì)信號(hào) CLK_ref 與信號(hào) CLK 數(shù)的比較結(jié)果,調(diào)整電流鏡的開(kāi)關(guān)使 RC 振蕩器的工作電流 IC改變,上實(shí)時(shí)溫度自校準(zhǔn)的功能。計(jì)的優(yōu)點(diǎn)為,在芯片整體校準(zhǔn)過(guò)程中,不需要外接其他的參考時(shí)鐘內(nèi)部的環(huán)形振蕩器就可以進(jìn)行 RC 振蕩器的頻率校準(zhǔn)工作,能夠在很制溫度變化對(duì)振蕩器頻率的影響。此設(shè)計(jì)也具有一定的局限性,只考對(duì) RC 振蕩器的影響,做出了校準(zhǔn)調(diào)整,沒(méi)有考慮工藝偏差等因素對(duì)率的影響,而且這種校準(zhǔn)方式不能使振蕩器的頻率校準(zhǔn)達(dá)到一定的
【學(xué)位授予單位】:北京工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN752
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