憶阻器耦合振子系統(tǒng)及網(wǎng)絡的動力學研究
【圖文】:
器和約瑟夫森結概述一種具有記憶效應的非線性電路元件,由加州大學伯電路變量的對稱性原理,總結了常規(guī)基本電路元件之反映電荷與磁通之間關系的電路元件[1]。2008 年 HPre》上發(fā)表論文報道了憶阻器的實現(xiàn),自此掀起了研。憶阻器具有電阻、電感、電容等基本電路元件都沒功能的非線性電阻,可以記憶流經它的電荷量或磁通化可以控制它的阻值。憶阻器的出現(xiàn)對于集成電路的,通過使用憶阻器可以縮小集成電路尺寸,而且憶阻刻畫神經元突觸的記憶功能,對于類腦科學研究具授在研究電流、電壓、電荷和磁通之間的關系時,從性推斷出第四種電路元件憶阻的存在[1]。電路理論中壓 v,電荷 q,磁通φ,它們之間的兩兩關系如圖 1.1
的放電[27]。基于 HH 神經元模型的建立方法和動力學分析,許多學元或者肌肉纖維的電活動進行研究,建立其神經元模型,例如 M 解釋了黑天鵝肌肉纖維動作電位的產生過程,提出 ML(Morris-Lecar8]。此后的研究中考慮神經元的空間效應,對 HH 神經元模型進行改[29]和 Map-based 模型[30]被提出。H、HR 等神經元模型主要刻畫離子電流的跨膜效應,在恰當?shù)姆植硇偷妮敵鲂蛄锌梢猿尸F(xiàn)不同的模態(tài)來對應生物實驗中神經元放電模神經元的電活動行為和神經元之間的信息傳遞過程需要考慮一些可理效應。神經細胞內包含大量的帶電離子,如鈉離子、鉀離子和鈣電離子在輸運過程中可以在細胞內外觸發(fā)非均勻的電磁場,這些電影響帶電離子的輸運,也就是說細胞內電荷分布密度變化和電荷運電磁感應效應,,即在細胞內外產生感應電流。Lv 等[31,32]考慮細胞中應,利用憶阻器實現(xiàn)了膜電位和磁通量的耦合,在 HR 神經元模型電流,提出了包含磁通量變量的神經元模型。Xu 等[33]發(fā)現(xiàn)電磁輻合作用可以使兩個神經元實現(xiàn)同步。
【學位授予單位】:蘭州理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TN60
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