【摘要】：將脈沖激光二極管(LD)側(cè)面泵浦增益介質(zhì)技術(shù)、主被動雙調(diào)Q技術(shù)、腔倒空技術(shù)相結(jié)合的全固態(tài)激光器可以實現(xiàn)高單脈沖能量、窄脈沖寬度、高峰值功率的脈沖激光,并具有能量轉(zhuǎn)換效率高、可實現(xiàn)系列非線性變換等優(yōu)點,已被廣泛應(yīng)用于工業(yè)精加工、醫(yī)療、激光雷達(dá)、激光通信、激光測距等諸多領(lǐng)域。為了獲得窄脈沖寬度、高峰值功率的946 nm激光和1123 nm激光,本論文進(jìn)行了如下實驗研究:開展窄脈沖寬度、高峰值功率的雙調(diào)Q 946 nm激光器實驗研究。采用脈沖808nm LD側(cè)面泵浦高摻雜、大尺寸的Nd:YAG晶體棒、單塊雙45o-Mg O:LN橫向加壓電光調(diào)Q晶體和單層Mo Se2被動可飽和吸收鏡,通過對雙調(diào)Q諧振腔的優(yōu)化設(shè)計,在脈沖重復(fù)頻率550 Hz時,獲得脈沖寬度9.1 ns、峰值功率346 k W的946 nm線偏振脈沖激光輸出。開展窄脈沖寬度、高峰值功率的1123 nm腔倒空激光器實驗研究。采用脈沖808nm LD側(cè)面泵浦高摻雜、大尺寸的Nd:YAG陶瓷棒、Mg O:LN電光晶體橫向加壓電光調(diào)制及腔倒空技術(shù),通過對腔倒空諧振腔的優(yōu)化設(shè)計,在脈沖重復(fù)頻率100 Hz時,獲得窄脈沖寬度為4.07 ns、峰值功率9.73 MW的1123 nm線偏振脈沖激光輸出。
【圖文】：

層等納米結(jié)構(gòu)的廣泛研究[67]。隙為 1.56eV[68-69]，在可見光和紅外光波段有inance, PL)具有高量子產(chǎn)率和強(qiáng)自旋軌道耦極管(LED)以及光伏器件等納米光電器件中的飽和吸收強(qiáng)度和較高的損傷閾值[72]，使 激光應(yīng)用中相比零帶隙的石墨烯和飽和吸收。Se2的單層材料為直接帶隙結(jié)構(gòu)，隨著材料層。隨著材料層數(shù)的減少，間接帶隙逐漸增大是，由于二維材料在實際應(yīng)用不是理想的無起材料帶隙減小，因此，對于有限面積的單，正是這一特性使得單層 MoSe2材料用于 9

25pm/V 的優(yōu)點，故也被用于制作 Q 開關(guān)等，KD*、干燥的環(huán)境中使用。RbTiOPO4RTP）[76]是 KTP 同族晶體，晶體透過，主要應(yīng)用于電光開關(guān)和電光調(diào)制，常用 Q 開關(guān)m及 2.128 μm。但 RTP 晶體存在負(fù)極面電致發(fā)黑、較高。(LiNbO3，LN)，屬三方晶系，晶體透過范圍是 0.4cm2(10ns, 1064nm)，電光系數(shù) r33=38.5 pm/V (Y-c0.6pm/V（X-cut），LN 是一種鐵電晶體，，具有鐵電等多性能。制和縱向電光調(diào)制加壓后會改變其折射率，入射偏振光通過加壓晶體電壓相位會改變 π/4，加半波電壓相位會改變 π/縱向加壓和橫向加壓，分別如圖 1.2 和圖 1.3 所示:
【學(xué)位授予單位】：西北大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TN248

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號：2657411