【摘要】：極紫外光刻技術(shù)是制造特征尺寸小于22nm芯片的最有前途的光刻技術(shù),極紫外光源是極紫外光刻技術(shù)的重要組成部分。激光輔助放電等離子極紫外光源是獲取極紫外光源的一種方法,此方法可以使任何傳統(tǒng)固體靶材作為放電等離子體所需材料,具有裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、極紫外光源功率高和轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)點(diǎn),因此有著廣闊的應(yīng)用前景。理論上,分析了觸發(fā)階段激光燒蝕等離子體的物理特征和放電階段等離子體的Z箍縮物理過(guò)程,以及等離子體輸出極紫外輻射的物理特性。實(shí)驗(yàn)上,首先設(shè)計(jì)并搭建了激光輔助放電等離子體極紫外光源的實(shí)驗(yàn)裝置。研究了靶材作為不同電極極性對(duì)Z箍縮等離子體產(chǎn)生的影響。通過(guò)對(duì)比靶材分別作為陰、陽(yáng)極時(shí)放電等離子體的時(shí)間演化過(guò)程和極紫外輻射強(qiáng)度,得到靶材作為陰極時(shí)更有利于放電Z箍縮等離子體的形成和極紫外輻射的輸出。其次,我們對(duì)激光輔助放電Z箍縮等離子體的初期放電階段動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了研究。在實(shí)驗(yàn)中,我們發(fā)現(xiàn)在主放電電流上升之前,X-ray二極管檢測(cè)到兩個(gè)脈沖信號(hào),通過(guò)用紙片分別遮擋兩個(gè)電極,得到兩個(gè)峰值信號(hào)分別來(lái)源于電極的陰極和陽(yáng)極。此外,我們還對(duì)放電過(guò)程中等離子體的膨脹速度進(jìn)行了測(cè)量,其速度約為1×10~5m/s。最后,我們對(duì)激光輔助放電Z箍縮等離子體的箍縮階段動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了研究。研究了放電參數(shù)(放電電流和電極間距)和激光參數(shù)(激光能量和激光聚焦光斑尺寸)對(duì)Z箍縮等離子體特性的影響。我們得到如下結(jié)果:當(dāng)初始供電直流電壓為7kV,電極間距為5mm,激光焦點(diǎn)距靶材表面為50 mm,激光能量為90mJ條件時(shí)等離子體箍縮效果最好,等離子體箍縮時(shí)EUV輻射強(qiáng)度也最強(qiáng)。
【圖文】：

第一章 緒論為制造集成電路（Integrated circuit，IC）的關(guān)具有越來(lái)越重要的作用和意義。自從 1958 年人用到了半導(dǎo)體行業(yè)。在光刻系統(tǒng)中，每個(gè)電路圖過(guò)光學(xué)系統(tǒng)照射到掩膜版上，再通過(guò)投影光學(xué)系敏化學(xué)光刻膠的硅晶片上[1]。然后，經(jīng)過(guò)一系列護(hù)基體上的最上層，剝離無(wú)用的光刻膠、等離子片上產(chǎn)生電子通道[2]。光刻系統(tǒng)如圖 1.1 所示，，

光刻工作流程圖
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類(lèi)號(hào)】：TN249;O53

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 蔡懿;王文濤;楊明;劉建勝;陸培祥;李儒新;徐至展;;基于強(qiáng)激光輻照固體錫靶產(chǎn)生極紫外光源的實(shí)驗(yàn)研究[J];物理學(xué)報(bào);2008年08期

2 張福昌;李艷秋;;EUV光刻中激光等離子體光源的發(fā)展[J];微細(xì)加工技術(shù);2006年05期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 郭娟;激光誘導(dǎo)的GaAs和GaN等離子體特性研究[D];山東師范大學(xué);2010年

2 張興強(qiáng);毛細(xì)管放電的X光激光若干特性及極紫外光刻光源研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2008年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前3條

1 李偉;毛細(xì)管放電電流幅值26kA和32kA時(shí)46.9nm激光特性研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

2 李小強(qiáng);激光輔助放電Sn等離子體13.5nm極紫外輻射研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

3 徐強(qiáng);放電等離子體極紫外光譜測(cè)量及分析[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2009年

本文編號(hào)：2632238