天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

高溫帶隙基準(zhǔn)源在CEPC頂點探測器芯片上的設(shè)計與實現(xiàn)

發(fā)布時間:2020-04-15 06:34
【摘要】:現(xiàn)代高能物理實驗的頂點探測器的功耗和散熱逐漸成為在頂點探測器芯片設(shè)計時考慮的主要因素。提高頂點探測器芯片工作的溫度可以緩解其在功耗和散熱方面的要求。工作溫度的提高會導(dǎo)致頂點探測器芯片模塊工作點和偏置電壓的漂移。一個可以在高溫下穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓源可以為頂點探測器芯片上的各個模塊提供穩(wěn)定的參考,是設(shè)計高溫下工作的頂點探測器芯片的重要前提條件。MIC4芯片是為CEPC對撞機頂點探測器預(yù)研項目設(shè)計的像素探測器芯片?紤]到未來CEPC頂點探測器對功耗和散熱的要求,本文為其設(shè)計了一款能夠在高溫下工作的帶隙基準(zhǔn)源作為芯片內(nèi)部模塊的參考電壓源。為該芯片在高溫下設(shè)計打下基礎(chǔ)。本文首先從理論上分析了基準(zhǔn)電壓源的工作原理和性能指標(biāo),著重介紹了應(yīng)用于頂點探測器MIC4芯片中的帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計。基于towerjazz 0.18μm工藝下,設(shè)計出的帶隙基準(zhǔn)源電路能夠在高溫下正常工作,通過對帶隙基準(zhǔn)源進行高溫測試,從而得到在towerjazz 0.18 μm工藝下,MIC4芯片所能承受的極限最高溫度。雖然多階曲率補償電路的帶隙基準(zhǔn)源在電源抑制比,溫度系數(shù)等參數(shù)上有一定的優(yōu)勢,但是此帶隙基準(zhǔn)源結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,在高溫環(huán)境的影響下,太過復(fù)雜的結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致基準(zhǔn)源達不到預(yù)期的效果。所以本論文中將傳統(tǒng)的三級管用二極管來代替,二極管和三極管相比有更好的溫度系數(shù);并且對電路結(jié)構(gòu)進行一定的修改,使本論文中的帶隙基準(zhǔn)源能夠達到比傳統(tǒng)的采用多階曲率補償電路結(jié)構(gòu)的帶隙基準(zhǔn)源的結(jié)構(gòu)更加精簡的同時,還能夠有著較高的電源抑制比,并且能滿足在-45℃~150℃的溫度范圍內(nèi),基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)為3.16ppm/℃,輸出電壓幅度為1.205 V,電源抑制比為73.28 dB。最后介紹了帶隙基準(zhǔn)源的測試結(jié)果,該帶隙基準(zhǔn)源已經(jīng)集成于CEPC頂點探測器MIC4芯片中,并留有測試接口,測試結(jié)果表明室溫下基準(zhǔn)源的輸出電壓幅度為1.199 V,基本滿足CEPC頂點探測器MIC4芯片的要求,并且在測試溫度為150℃時,帶隙基準(zhǔn)源仍然能正常工作,此次設(shè)計可以為下一代芯片的帶隙基準(zhǔn)源在高溫下的設(shè)計提供一定的參考意見。
【圖文】:

帶隙基準(zhǔn),正溫度系數(shù),負(fù)溫,導(dǎo)通電壓


為了產(chǎn)生穩(wěn)定的帶隙基準(zhǔn)電壓源,我們己知PN結(jié)的正向?qū)妷壕哂胸?fù)溫逡逑度系數(shù),所以我們只需要再產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電壓,使它和PN結(jié)產(chǎn)生的電壓加逡逑權(quán)相加,即可得到不隨溫度變化的電壓,即零溫度系數(shù)的電壓,其結(jié)構(gòu)如圖2.2逡逑所示,逡逑'Vt=kT/q逡逑vss逡逑圖2.2帶隙基準(zhǔn)的一般原理逡逑電壓匕.由pn結(jié)二極管產(chǎn)生,熱電壓R邋K邋=A77g邋),R與絕對溫度(PTAT)逡逑成正比,所以可以將呈負(fù)溫度系數(shù)的匕£和呈正溫度系數(shù)的R進行相加,即可最逡逑終產(chǎn)生不隨溫度變化的基準(zhǔn)輸出電壓逡逑=邋+邋(2-8)逡逑2.1.2性能指標(biāo)逡逑1邋?溫度系數(shù)(TC邋(Temperature邋Coefficient))逡逑溫度系數(shù)是衡量帶隙基準(zhǔn)電壓源中電路是否穩(wěn)定的重要指標(biāo),即在一定的溫逡逑度范圍內(nèi),帶隙基準(zhǔn)的輸出電壓的變化大小。單位為ppm/°C邋(lppmzlO"6),表逡逑示為溫度變化1°C時,對應(yīng)的基準(zhǔn)源輸出電壓變化量的百萬分比。溫度系數(shù)的計逡逑算公式如2-11所示逡逑TC-—V7x ̄Vmm、X106邋(ppm/。。)邐(2-9)逡逑vmean(Tmax-rmin)逡逑[(基準(zhǔn)電壓源輸出最大值-基準(zhǔn)電壓源輸出最小值)/(基準(zhǔn)電壓源輸出電壓平逡逑7逡逑

帶隙基準(zhǔn),輸出電壓,結(jié)二極管,熱電壓


n結(jié)二極管產(chǎn)生,,熱電壓R邋K邋=A77g邋),R與絕將呈負(fù)溫度系數(shù)的匕£和呈正溫度系數(shù)的R進化的基準(zhǔn)輸出電壓逡逑+邋(Temperature邋Coefficient))逡逑量帶隙基準(zhǔn)電壓源中電路是否穩(wěn)定的重要指標(biāo),準(zhǔn)的輸出電壓的變化大小。單位為ppm/°C邋(lp時,對應(yīng)的基準(zhǔn)源輸出電壓變化量的百萬分比。示逡逑x ̄Vmm、X106邋(ppm/。。)max-rmin)逡逑
【學(xué)位授予單位】:華中師范大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TN432;O572.212

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 隋成龍;韓旭鵬;王亮;劉家齊;李同德;曹煒亦;趙元富;;帶隙基準(zhǔn)源單粒子敏感性分析[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2018年12期

2 趙嘉斌;;帶有自偏置功能的高性能帶隙基準(zhǔn)源電路[J];科技視界;2016年16期

3 劉志國;戴瀾;;一種帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計研究[J];科技信息;2012年01期

4 嚴(yán)葉挺;秦會斌;黃海云;;一種高精度自偏置帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計[J];電子器件;2009年05期

5 幸新鵬;李冬梅;王志華;;一個電壓接近1V10ppm/℃帶曲率補償?shù)腃MOS帶隙基準(zhǔn)源(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2008年01期

6 陳景銀;CMOS集成帶隙基準(zhǔn)源[J];電子技術(shù)應(yīng)用;1986年08期

7 陳劍;馬騰飛;;帶有自偏置功能的高性能帶隙基準(zhǔn)源電路設(shè)計[J];中國集成電路;2018年05期

8 張曉琳;陳婷;;帶隙基準(zhǔn)源專利技術(shù)[J];中國科技信息;2015年Z2期

9 吳文蘭;刑立東;;帶隙基準(zhǔn)源的現(xiàn)狀及其發(fā)展趨勢[J];微計算機信息;2010年17期

10 吳日新;戴慶元;謝芳;;新型電流微調(diào)CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計[J];半導(dǎo)體技術(shù);2009年09期

相關(guān)會議論文 前6條

1 郭美洋;姚建軍;孫克;;一種曲率補償CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計[A];2010’全國半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會論文集[C];2010年

2 汪洲;劉泰源;廖永波;李平;;一種無需常規(guī)偏置電流源的高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源[A];四川省電子學(xué)會半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會2006年度學(xué)術(shù)年會論文集[C];2006年

3 孫海艷;劉堯;孫永節(jié);;一款高穩(wěn)定性帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計與分析[A];第二十屆計算機工程與工藝年會暨第六屆微處理器技術(shù)論壇論文集[C];2016年

4 韓健;孫玲玲;洪慧;;一種二階補償?shù)母呔葞痘鶞?zhǔn)電壓源設(shè)計[A];浙江省電子學(xué)會2008年學(xué)術(shù)年會論文集[C];2008年

5 齊敏;孫泉;湯亮;喬東海;;高精度地震檢波器用低噪聲帶隙基準(zhǔn)源[A];2014’中國西部聲學(xué)學(xué)術(shù)交流會論文集[C];2014年

6 閆肅;姜巖峰;;開關(guān)電源中帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計[A];2007通信理論與技術(shù)新發(fā)展——第十二屆全國青年通信學(xué)術(shù)會議論文集(上冊)[C];2007年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 劉凡;宇航用抗輻射關(guān)鍵模擬單元電路的研究與應(yīng)用[D];電子科技大學(xué);2017年

2 楊寧;小分子有機電致熒光器件研究及其驅(qū)動系統(tǒng)的設(shè)計[D];西北工業(yè)大學(xué);2014年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 劉健超;高溫帶隙基準(zhǔn)源在CEPC頂點探測器芯片上的設(shè)計與實現(xiàn)[D];華中師范大學(xué);2019年

2 徐威;低功耗高PSRR無線能量管理單元的研究與設(shè)計[D];杭州電子科技大學(xué);2018年

3 王彬;低壓帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計[D];河北大學(xué);2018年

4 孫海艷;一個基于65nm工藝帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計及低功耗低溫漂優(yōu)化[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2017年

5 陳兆權(quán);具有高階曲率補償?shù)牡蛪洪_關(guān)電容式帶隙基準(zhǔn)源研究與設(shè)計[D];華南理工大學(xué);2018年

6 李帥人;基于40nm工藝的CMOS帶隙基準(zhǔn)源研究與設(shè)計[D];華南理工大學(xué);2012年

7 崔磊;CMOS帶隙基準(zhǔn)源的研究與設(shè)計[D];合肥工業(yè)大學(xué);2010年

8 李竹影;一種高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計[D];西南交通大學(xué);2015年

9 朱靜;基于28nm先進工藝的帶隙基準(zhǔn)源芯片設(shè)計[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

10 張靜;CMOS帶隙基準(zhǔn)源高階溫度補償?shù)脑O(shè)計與仿真[D];西南交通大學(xué);2013年



本文編號:2628251

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2628251.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶5d0a2***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com
黑人巨大精品欧美一区二区区| 亚洲男人天堂网在线视频| 欧美午夜视频免费观看| 好吊日成人免费视频公开| 欧美午夜视频免费观看| 99福利一区二区视频| 日韩精品一级一区二区| 99在线视频精品免费播放| 中文字幕日韩欧美一区| 久久99青青精品免费| 久久经典一区二区三区| 欧美日韩少妇精品专区性色| 大香蕉久久精品一区二区字幕| 青青操日老女人的穴穴| 亚洲一区精品二人人爽久久| 日韩中文字幕免费在线视频| 91偷拍与自偷拍精品| 99久免费精品视频在线观| 我的性感妹妹在线观看| 在线中文字幕亚洲欧美一区| 夫妻激情视频一区二区三区| 国产老熟女超碰一区二区三区| 午夜精品国产一区在线观看| 97人妻精品一区二区三区男同| 国产精品九九九一区二区 | 丝袜诱惑一区二区三区| 亚洲一区精品二人人爽久久| 久草国产精品一区二区| 人妻乱近亲奸中文字幕| 手机在线不卡国产视频| 国产一级二级三级观看| 夜夜躁狠狠躁日日躁视频黑人 | 国产日韩欧美在线播放| 国产午夜福利在线观看精品| 99免费人成看国产片| 国产日韩欧美专区一区| 大香蕉久久精品一区二区字幕 | 国产一区二区三区免费福利 | 人人妻人人澡人人夜夜| 欧美区一区二在线播放| 欧美精品久久男人的天堂|