基于光泵浦自旋垂直腔面發(fā)射激光器輸出的偏振轉(zhuǎn)換及雙穩(wěn)特性研究
【圖文】:
圖 1.1 自旋 LEDs 的基本結(jié)構(gòu) (a)法拉第結(jié)構(gòu),(b)準(zhǔn) Voigt 結(jié)構(gòu),,(c)斜漢勒效應(yīng)結(jié)構(gòu)[23]第結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了從n型CdCr2Se4材料注入自旋電子到AlGaAs/GaAs 量子阱LED[19]眾所周知,稀磁半導(dǎo)體自旋準(zhǔn)直區(qū)的根本缺陷之一是他們的居里溫度很低,這極大的限制了自旋 LED 的最高工作溫度。同時,與 GaAs 晶格匹配的鐵磁半導(dǎo)體材料很難在室溫條件下工作,這又大大的推動了在 GaAs 上生長鐵磁薄膜并應(yīng)用于LED 的研究。2001 年,Zhu 等首次報道了基于鐵磁金屬自旋準(zhǔn)直的自旋 LED,他們利用 InGaAs 量子阱自旋 LED 在 300 K 溫度下獲得了 2%的自旋注入效率,從而
西南大學(xué)碩士學(xué)位論文 第 1 章 緒論CoFe/MnO 隧道注入器注入自旋電子到 GaAs/AlGaAs 量子阱自旋 LED,在 290 K溫度下獲得了 32%的自旋注入效率[22]。相比于自旋 LED,自旋激光器具有更快的調(diào)制動力學(xué)、更低的閾值工作電流及更強(qiáng)的偏振控制能力。自旋激光器具有的較強(qiáng)的偏振輸出可控性為其在寬帶光通信、量子編碼、可重構(gòu)的光互聯(lián)等方面的應(yīng)用提供了可能。需要指出的是,自旋垂直腔面發(fā)射激光器(Spin Vertical-cavity Surface-emitting Lasers, 自旋 VCSELs)不僅符合自旋電子學(xué)對法拉第結(jié)構(gòu)的要求,且其側(cè)向各向同性、具有近乎完美的圓對稱結(jié)構(gòu),從而使得自旋 VCSELs 成為了自旋激光器的首選。2005 年,美國密歇根大學(xué)的 Holub 等首次成功制備了如圖 1.2 所示的電泵浦自旋 VCSEL[15]。盡管自旋 VCSELs 的研發(fā)取得了突破性進(jìn)展,然而,與普通激光器相比,自旋 VCSELs的設(shè)計與制備仍然存在許多問題,自旋 VCSELs 的真正商用化還面臨許多關(guān)鍵技術(shù)問題亟需解決。有關(guān)電泵浦和光泵浦自旋激光器在第二章有詳細(xì)介紹。
【學(xué)位授予單位】:西南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN248
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本文編號:2623487
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