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基于二硫化錫及其復(fù)合材料光探測器構(gòu)筑與性能研究

發(fā)布時間:2020-04-11 02:49
【摘要】:自2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來,因其優(yōu)異的物理性質(zhì)引起科研人員的廣泛關(guān)注。目前,有關(guān)石墨烯的研究已經(jīng)超越石墨烯材料的本身,逐漸引申到與石墨烯有著類似結(jié)構(gòu)的材料-二維類石墨烯材料。在諸多二維類石墨烯材料中,過渡金屬硫化物以其獨特的物理性質(zhì),引起極大的關(guān)注。本文所介紹的二硫化錫(SnS2)就是一種二維硫族金屬化合物。我們以二硫化錫作為主要光電材料,對其光電性能進行了研究。同時,制備了二硫化錫/石墨烯復(fù)合材料,并分析了石墨烯對二硫化錫的光電性能的影響,為二硫化錫的性能的優(yōu)化以及實用具有一定的指導(dǎo)意義。本文主要分為以下五章:第一章是緒論部分,介紹本文的一些研究背景及研究意義。主要介紹半導(dǎo)體光探測器的工作原理(二硫化錫是一種半導(dǎo)體),二硫化錫的研究現(xiàn)狀以及本課題的研究背景,研究內(nèi)容。第二章介紹了如何通過一種簡單水熱的方法制備二硫化錫納米片,并說明了其合成機制。并利用滴涂的方法將二硫化錫涂Si/SiO2上,制備出二硫化錫光探測器,最后進行了光響應(yīng)測試。在本實驗中,純二硫化錫光探測器表現(xiàn)出很好的周期性及穩(wěn)定性。盡管純二硫化錫表現(xiàn)出良好的光電性質(zhì),但是二硫化錫較高的光生電子-空穴對的復(fù)合率,嚴重制約了它在實際生產(chǎn)生活中的應(yīng)用。為了降低二硫化錫電子-空穴對的復(fù)合率,充分釋放二硫化錫的光電能力,我們將石墨烯引入二硫化錫中,借石墨烯的高電導(dǎo)率,來降低二硫化錫中的光生電子-空穴對的復(fù)合率。第三章是在第二章的基礎(chǔ)上提出二硫化錫/石墨烯光探測,并進行更深入的研究。本章的實驗中,是在制備二硫化錫的過程中加入石墨烯,制備出二硫化錫/石墨烯復(fù)合材料。在復(fù)合材料中二硫化錫納米片很好的鑲嵌在石墨烯骨架中,形成二硫化錫/石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu),我們又分析了石墨烯對二硫化錫光電性能的影響。第四章是介紹二硫化錫/石墨烯異質(zhì)結(jié)固態(tài)薄膜型光探測器的構(gòu)筑,并對其光探測性能進行了分析。在本章中,我們將二硫化錫/石墨烯滴涂在鍍有銦硒氧化物玻璃(ITO)上,并在上面涂一層固態(tài)電解質(zhì),然后再將另外一塊ITO放置在固態(tài)電解質(zhì)上并進行擠壓,在兩塊ITO之間形成一個薄膜。當固態(tài)電解質(zhì)凝固后,固態(tài)薄膜型光探測器便制備完成。最后我們對這個固態(tài)光探測器進行了光電性質(zhì)分析。第五章為全文總結(jié)和對未來的展望。
【圖文】:

示意圖,電導(dǎo)效應(yīng),光生,半導(dǎo)體材料


逑生電子-空穴對。這樣光生電子-空穴對就會增加材料的載流子濃度,,使半導(dǎo)體材逡逑料的電導(dǎo)率提升,如圖1-1所示[4]。在無光的情況下,在半導(dǎo)體材料兩端施加一逡逑個電場,在電回路中會產(chǎn)生一個很小的電流(4^)。當在相同偏壓下,有光照射逡逑到半導(dǎo)體表面時(這里光能大于或等于半導(dǎo)體的禁帶寬度),半導(dǎo)體就會吸收光逡逑能并產(chǎn)生電子-空穴對。在外加電場的作用下光生電子-空穴對就會分離,使電回逡逑路中的電流增加,這個增加量就是光電流(如1-1邋(c,d)所示)。逡逑3邐b逡逑Dark邐Illumination逡逑'bd逡逑M邋Semicond.邐"逡逑*dark邋邋一邐’dark邋邋逡逑’photo邋 ̄逡逑c邐d逡逑W'NJ—邋/邋/dsA邐y逡逑\邋\邐i邋i邐^lumination逡逑f邐’photo逡逑/photo/邐邐邐逡逑 ̄V^邐VdT逡逑圖1-1在半導(dǎo)體材料中的光生電導(dǎo)效應(yīng)示意圖w逡逑(2)光控效應(yīng)。在嚴格意義上來說,光控效應(yīng)是一種特殊的光電導(dǎo)效應(yīng)。在逡逑這中特殊的光電導(dǎo)效應(yīng)中,光生-電子空穴對中只有一種載流子參與到電流中,逡逑而另外一種載流子會被半導(dǎo)體材料中的缺陷捕獲,并充當材料的門控。在靜電場逡逑的作用下

示意圖,光電二極管,光電倍增管,圖片


逑生電子-空穴對。這樣光生電子-空穴對就會增加材料的載流子濃度,使半導(dǎo)體材逡逑料的電導(dǎo)率提升,如圖1-1所示[4]。在無光的情況下,在半導(dǎo)體材料兩端施加一逡逑個電場,在電回路中會產(chǎn)生一個很小的電流(4^)。當在相同偏壓下,有光照射逡逑到半導(dǎo)體表面時(這里光能大于或等于半導(dǎo)體的禁帶寬度),半導(dǎo)體就會吸收光逡逑能并產(chǎn)生電子-空穴對。在外加電場的作用下光生電子-空穴對就會分離,使電回逡逑路中的電流增加,這個增加量就是光電流(如1-1邋(c,d)所示)。逡逑3邐b逡逑Dark邐Illumination逡逑'bd逡逑M邋Semicond.邐"逡逑*dark邋邋一邐’dark邋邋逡逑’photo邋 ̄逡逑c邐d逡逑W'NJ—邋/邋/dsA邐y逡逑\邋\邐i邋i邐^lumination逡逑f邐’photo逡逑/photo/邐邐邐逡逑 ̄V^邐VdT逡逑圖1-1在半導(dǎo)體材料中的光生電導(dǎo)效應(yīng)示意圖w逡逑(2)光控效應(yīng)。在嚴格意義上來說,光控效應(yīng)是一種特殊的光電導(dǎo)效應(yīng)。在逡逑這中特殊的光電導(dǎo)效應(yīng)中,光生-電子空穴對中只有一種載流子參與到電流中,逡逑而另外一種載流子會被半導(dǎo)體材料中的缺陷捕獲,并充當材料的門控。在靜電場逡逑的作用下
【學(xué)位授予單位】:湘潭大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN303

【參考文獻】

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1 程弈星;;固體聚合物電解質(zhì)的研究現(xiàn)狀及展望[J];科協(xié)論壇(下半月);2008年01期



本文編號:2623048

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