【摘要】：本文首次概述了采用寬禁帶半導(dǎo)體材料4H-SiC制備脈沖功率開關(guān)反向開關(guān)晶體管(RSD)所涉及到的關(guān)鍵工藝。包括選擇性刻蝕、選擇性摻雜、歐姆電極制備以及臺面終端造型等在內(nèi)的多步主要工藝均與Si基RSD完全不同,采用氟基氣體感應(yīng)耦合等離子體(ICP)刻蝕得到了合適的刻蝕速率、表面粗糙度及形貌,采用多次氮離子注入及高溫退火完成選擇性摻雜,采用Ni/Ti/Al多層金屬配合適當(dāng)退火溫度完成歐姆電極制備,采用機(jī)械切割斜角完成臺面終端造型,最終得到了合理的器件正反向阻斷特性。

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1 王海洋;何小平;周競之;陳維青;郭帆;謝霖q，

本文編號：2584833