【摘要】：研究了在圖形藍(lán)寶石襯底(PSS)上利用磁控濺射制備AlN薄膜的相關(guān)技術(shù),隨后通過采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在相關(guān)AlN薄膜上生了長GaN基LED。通過一系列對比實(shí)驗(yàn),分析了AlN薄膜的制備條件對GaN外延層晶體質(zhì)量的影響,研究了AlN薄膜濺射前N2預(yù)處理功率和濺射后熱處理溫度對GaN基LED性能的作用機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:AlN薄膜厚度的增加,導(dǎo)致GaN緩沖層成核密度逐漸升高和GaN外延膜螺位錯(cuò)密度降低刃位錯(cuò)密度升高;N2處理功率的提升會(huì)加劇襯底表面晶格損傷,在GaN外延膜引入更多的螺位錯(cuò);AlN熱處理溫度的升高粗化了表面并提高了GaN成核密度,使得GaN外延膜螺位錯(cuò)密度降低刃位錯(cuò)密度升高;而這些GaN外延膜位錯(cuò)密度的變化又進(jìn)一步影響到LED的光電特性。

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 韓行俠;多角結(jié)的成因與硅的位錯(cuò)密度[J];半導(dǎo)體技術(shù);1982年04期

2 徐昌型;低氧低位錯(cuò)密度均勻分布硅單晶的制備[J];稀有金屬;1979年01期

3 于梅芳,楊建榮,王善力,陳新強(qiáng),喬怡敏,巫艷,何力,韓培德;分子束外延HgCdTe薄膜位錯(cuò)密度的研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年05期

4 趙謝群;硅襯底上MOCVD GaAs中位錯(cuò)密度研究[J];稀有金屬;1989年05期

5 徐涌泉;方敦輔;譚禮同;;電中性摻雜生長低位錯(cuò)密度InP單晶[J];稀有金屬;1989年02期

6 辛超;周劍;周潘兵;魏秀琴;周浪;張運(yùn)鋒;張美霞;;高溫退火對鑄造多晶硅片中位錯(cuò)密度的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2011年05期

7 楊瑞霞,劉文杰,李光平,華慶恒;摻雜和未摻雜LEC GaAs中EL2和位錯(cuò)密度分布[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1988年03期

8 葉真吉，，陶世端，李忠良;大直徑低位錯(cuò)密度InSb單晶研制[J];紅外與激光技術(shù);1995年05期

9 高志遠(yuǎn);郝躍;張進(jìn)城;張金鳳;倪金玉;;KOH熱濕腐蝕法準(zhǔn)確估算GaN的位錯(cuò)密度(英文)[J];功能材料與器件學(xué)報(bào);2008年04期

10 于梅芳,巫艷,陳路,喬怡敏,楊建榮,何力;ZnCdTe襯底上HgCdTe分子束外延的位錯(cuò)密度[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2002年02期

相關(guān)會(huì)議論文 前1條

1 盧鴻修;;測量位錯(cuò)密度時(shí)位錯(cuò)成象的分析[A];第四次全國電子顯微學(xué)會(huì)議論文摘要集[C];1986年

本文編號(hào)：2584395