【摘要】：研究了在圖形藍(lán)寶石襯底(PSS)上利用磁控濺射制備AlN薄膜的相關(guān)技術(shù),隨后通過(guò)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)在相關(guān)AlN薄膜上生了長(zhǎng)GaN基LED。通過(guò)一系列對(duì)比實(shí)驗(yàn),分析了AlN薄膜的制備條件對(duì)GaN外延層晶體質(zhì)量的影響,研究了AlN薄膜濺射前N2預(yù)處理功率和濺射后熱處理溫度對(duì)GaN基LED性能的作用機(jī)制。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:AlN薄膜厚度的增加,導(dǎo)致GaN緩沖層成核密度逐漸升高和GaN外延膜螺位錯(cuò)密度降低刃位錯(cuò)密度升高;N2處理功率的提升會(huì)加劇襯底表面晶格損傷,在GaN外延膜引入更多的螺位錯(cuò);AlN熱處理溫度的升高粗化了表面并提高了GaN成核密度,使得GaN外延膜螺位錯(cuò)密度降低刃位錯(cuò)密度升高;而這些GaN外延膜位錯(cuò)密度的變化又進(jìn)一步影響到LED的光電特性。

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