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陽極界面修飾對(duì)簡單結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光器件性能影響的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-03-02 15:48
【摘要】:隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展、顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步,有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic light emitting diode,OLED)顯示技術(shù)也得到了很快的發(fā)展,由于它具有自發(fā)光、大視角、低功耗、響應(yīng)快、可彎曲等優(yōu)點(diǎn)被認(rèn)為是最具有發(fā)展前景的新一代顯示技術(shù)。但OLED的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制備成本高成為了制約其商業(yè)化的難題。因此,為了簡化器件制備過程,降低生產(chǎn)成本,簡化器件結(jié)構(gòu),研制高效的單層OLED對(duì)于OLED器件的商業(yè)化生產(chǎn)具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。本文主要研究了陽極界面修飾對(duì)簡單結(jié)構(gòu)OLED器件性能的影響。具體工作如下:1、基于ITO/HIL/TPBi:Ir(ppy)3/Li F/Al(HIL=V2O5、MoO3、PEDOT:PSS)的器件結(jié)構(gòu),探討了V2O5、MoO3、PEDOT:PSS分別作為空穴注入層修飾陽極對(duì)器件性能的影響。通過對(duì)比發(fā)現(xiàn)三者的空穴注入能力V2O5MoO3PEDOT:PSS,但PEDOT:PSS作為陽極修飾層器件的性能最好,最大電流效率41.25 cd/A,最大功率效率30.79 lm/W。說明在簡單結(jié)構(gòu)OLED器件中,空穴注入層在修飾陽極降低電極與有機(jī)層之間的空穴注入勢壘的同時(shí),還要改善發(fā)光層中的載流子注入平衡。2、研究了Cl-ITO對(duì)簡單結(jié)構(gòu)OLED器件性能的影響。使用不同的氯化溶劑(氯仿、二氯苯、氯苯)UV處理ITO陽極。由于三種溶劑分子組成和分子結(jié)構(gòu)不同,研究三種材料與UV處理時(shí)間的關(guān)系。在三種氯化溶劑中,基于二氯苯處理的ITO的器件性能最好,最佳處理時(shí)間為5 min,最大電流效率33.48 cd/A,最大功率效率27.51 lm/W。3、研究了MoO3和C60混合做空穴緩沖層對(duì)簡單結(jié)構(gòu)器件性能的影響。將對(duì)空穴具有阻擋作用的C60和MoO3按一定比例混合做空穴緩沖層以起到鈍化空穴注入的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著混合空穴緩沖層中C60比例的增加,器件電流密度降低。當(dāng)MoO3和C60混合比例為1:3、空穴緩沖層厚度為1.6 nm時(shí),器件性能最佳,最大電流效率為35.52 cd/A,最大功率效率為31.87 lm/W,優(yōu)于純MoO3做HIL層的器件。
【學(xué)位授予單位】:南京郵電大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TN383.1

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2584355

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