【摘要】：研究了氣液固三相旋流流場拋光機理和規(guī)律。設(shè)計了三入口的拋光加工流道,對氣液固三相旋流拋光流場進行了數(shù)值模擬。基于模擬結(jié)果設(shè)計了氣液固三相磨粒流旋流流場測量平臺,并通過粒子圖像測速法(PIV)測量了微氣泡補償條件下氣液固三相旋流拋光的流場參數(shù),獲得了微氣泡補償區(qū)域流場的運動圖像、速度矢量圖和渦量圖。PIV測量試驗數(shù)據(jù)顯示:在微氣泡補償區(qū)域,磨粒速度主要集中在30m/s到80m/s,同一測量點高速磨粒出現(xiàn)頻率明顯增加,少數(shù)磨粒速度達到100m/s以上;磨粒平均速度從33.8m/s增大到44.2m/s,經(jīng)4h拋光后硅片表面最大粗糙度從10.4μm下降到1.3μm。理論和試驗研究表明,氣液固三相旋流拋光流場中微氣泡潰滅引發(fā)的空化沖擊效應(yīng)可增大磨粒動能,提高拋光效率,實現(xiàn)B區(qū)域的均勻化拋光。

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 張裕士;田貴才;;微氣泡激光散射特性研究[J];通化師范學(xué)院學(xué)報;2007年04期

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本文編號：2578662