三相旋流拋光磨粒運(yùn)動(dòng)的測(cè)量與微氣泡補(bǔ)償
發(fā)布時(shí)間:2020-02-12 02:23
【摘要】:研究了氣液固三相旋流流場(chǎng)拋光機(jī)理和規(guī)律。設(shè)計(jì)了三入口的拋光加工流道,對(duì)氣液固三相旋流拋光流場(chǎng)進(jìn)行了數(shù)值模擬;谀M結(jié)果設(shè)計(jì)了氣液固三相磨粒流旋流流場(chǎng)測(cè)量平臺(tái),并通過粒子圖像測(cè)速法(PIV)測(cè)量了微氣泡補(bǔ)償條件下氣液固三相旋流拋光的流場(chǎng)參數(shù),獲得了微氣泡補(bǔ)償區(qū)域流場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)圖像、速度矢量圖和渦量圖。PIV測(cè)量試驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示:在微氣泡補(bǔ)償區(qū)域,磨粒速度主要集中在30m/s到80m/s,同一測(cè)量點(diǎn)高速磨粒出現(xiàn)頻率明顯增加,少數(shù)磨粒速度達(dá)到100m/s以上;磨粒平均速度從33.8m/s增大到44.2m/s,經(jīng)4h拋光后硅片表面最大粗糙度從10.4μm下降到1.3μm。理論和試驗(yàn)研究表明,氣液固三相旋流拋光流場(chǎng)中微氣泡潰滅引發(fā)的空化沖擊效應(yīng)可增大磨粒動(dòng)能,提高拋光效率,實(shí)現(xiàn)B區(qū)域的均勻化拋光。
本文編號(hào):2578662
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,本文編號(hào):2578662
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