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基于螯合劑與活性劑的Cu-CMP清洗液對BTA去除的影響

發(fā)布時間:2020-02-11 00:42
【摘要】:以螯合劑與活性劑為材料,利用難溶物質(zhì)微弱電離平衡、螯合劑絡(luò)合機(jī)理以及活性劑的鋪展、潤濕以及滲透作用,結(jié)合有機(jī)物結(jié)構(gòu)相似相溶原理,研制新型堿性清洗液,用于有效去除Cu-CMP后的苯并三氮唑(BTA)。通過接觸角測試、電化學(xué)實驗以及原子力顯微鏡(AFM)測試可以得出:體積分?jǐn)?shù)為0.015%的FA/OⅡ螯合劑、體積分?jǐn)?shù)為0.003%的FA/OⅠ螯合劑與體積分?jǐn)?shù)為0.1%的FA/O活性劑組成的新型堿性清洗劑,采用清洗液體積流量為1 440 mL/min進(jìn)行PVA刷洗,可以有效去除BTA,且具有較低的表面粗糙度和較高的表面耐腐蝕性。螯合劑既可以與Cu-BTA反應(yīng)生成銅胺絡(luò)離子去除BTA,也可作為催化劑,提高活性劑在Cu表面的鋪展、潤濕及滲透效果,進(jìn)一步增強(qiáng)BTA的去除效果。

【相似文獻(xiàn)】

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1 張西慧;劉玉嶺;楊春;;螯合劑對酸性拋光液中銅離子沉積的影響[J];電子器件;2007年02期

2 苗英新;王勝利;劉玉嶺;王辰偉;孫銘斌;洪姣;;不同體積分?jǐn)?shù)螯合劑對Cu-BTA去除的影響[J];微納電子技術(shù);2014年07期

3 張西慧;劉玉嶺;李潔;;HF溶液中銅離子在硅片表面沉積的研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);2006年06期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 孫銘斌;GLSI多層銅布線CMP后清洗顆粒去除的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

2 苗英新;GLSI多層銅布線CMP后清洗BTA去除的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

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本文編號:2578305

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