【摘要】：微電子器件沿摩爾定律持續(xù)發(fā)展超過50年,正面臨著高功耗等挑戰(zhàn).二維層狀材料可以將載流子限制在界面1 nm的空間內(nèi),部分材料展現(xiàn)出高遷移率、能帶可調(diào)、拓?fù)淦娈愋缘忍攸c(diǎn),有望給"后摩爾時(shí)代"微電子器件帶來新的技術(shù)變革.其中,以MoS_2為代表的過渡金屬硫化物具有1-2 eV的帶隙、良好的空氣穩(wěn)定性和工藝兼容性,在邏輯集成方面有巨大潛力.本文綜述了二維過渡金屬硫化物在邏輯器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展,重點(diǎn)討論電子輸運(yùn)機(jī)理、遷移率、接觸電阻等關(guān)鍵問題及集成技術(shù)的現(xiàn)狀,并為今后的發(fā)展指出了方向.
【圖文】：

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本文編號(hào)：2574463