【摘要】：有機場效應(yīng)晶體管(OFETs)是近年來引起學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注。與無機場效應(yīng)晶體管相比,有機場效應(yīng)晶體管有著一系列的優(yōu)點:集成度提高、操作功率減小、運算速度加快、能夠進行低溫加工、易于大面積生產(chǎn)等。目前,有機場效應(yīng)晶體管的性能已經(jīng)取得很大的提高,但對于其理論和材料結(jié)構(gòu)方面依然有很多問題需要進一步探討。本文主要從無機/有機界面的電學(xué)特性出發(fā),研究了有機場效應(yīng)晶體管的界面?zhèn)鬏敽碗姌O材料選擇問題,主要包括:1、研究了電極分別為Au、Cu Ox、Au-Cu Ox的三種有機場效應(yīng)晶體管,并計算他們的遷移率,實驗數(shù)據(jù)表明Au-Cu Ox電極接觸型器件性能最好。當(dāng)電極為Cu Ox時能有效地降低載流子的注入勢壘,誘導(dǎo)空穴注入并五苯中,有利于空穴的傳輸。而在Cu Ox封裝一層Au的Au-Cu Ox電極,其遷移率進一步提高,接觸電阻也進一步減小。2、用開爾文探針力顯微鏡掃描了結(jié)構(gòu)分別為Au/Cu Pc/Si O2/n++Si和Au/Cu Pc/ATO/n++Si的兩種器件,并對它們進行分析。實驗結(jié)果表明Au/Cu Pc/ATO/n++Si型器件性能優(yōu)于Au/Cu Pc/Si O2/n++Si型器件。其原因在于high-k ATO薄膜引起Cu Pc薄膜帶隙缺陷態(tài)密度大幅度下降至7×1017cm-3,同時提高了Cu Pc的結(jié)晶度。
【圖文】：

暨南大學(xué)碩士學(xué)位論文5圖1-1 并五苯分子結(jié)構(gòu)和OFET傳感器的結(jié)構(gòu)圖[43]1.2.3 OFET 的結(jié)構(gòu)OFETs器件的結(jié)構(gòu)一般包括4部分，，分別為柵極、絕緣層、有機半導(dǎo)體層、源/漏電極(Source/Drain，S/D)。根據(jù)有機半導(dǎo)體層和源漏電極之間的位置關(guān)系又可以將OFETs分為底接觸(bottom-contact devices)和頂接觸(top-contact devices)兩種結(jié)構(gòu)。圖1-2 (a)頂接觸式(b)底接觸式有機場效應(yīng)晶體管

可以將OFETs分為底接觸(bottom-contact devices)和頂接觸(top-contact devices)兩種結(jié)構(gòu)。圖1-2 (a)頂接觸式(b)底接觸式有機場效應(yīng)晶體管
【學(xué)位授予單位】：暨南大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN386

【參考文獻】

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1 沈健;包生祥;王志紅;;開爾文力顯微鏡檢測ZnO薄膜的接觸電勢差[J];電子測量與儀器學(xué)報;2006年06期

2 周強;謝中;王祝盈;陳小林;王巖國;;銅鉛合金的掃描開爾文探針顯微鏡研究[J];電子顯微學(xué)報;2006年04期

3 周桂江,葉成;有機/聚合物場效應(yīng)管[J];化學(xué)通報;2002年04期

4 陳淑芬;戴春雷;牟鑫;袁順東;翁潔娜;凌啟淡;黃維;;有機場效應(yīng)晶體管的研究與應(yīng)用進展[J];南京郵電大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2011年03期

5 黃天天;付雁;張金利;李椺;;蛋白功能化磁性納米顆粒的制備及應(yīng)用[J];化學(xué)進展;2012年08期

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1 張輝;有機場效應(yīng)晶體管（OFETs）器件的制備及特性研究[D];南京郵電大學(xué);2013年

2 吳沛;有機場效應(yīng)管的制作及特性研究[D];東南大學(xué);2005年

本文編號：2570982