本文關(guān)鍵詞：多光束全息光刻制作納米陣列圖形的研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：本論文基于光的干涉、全息光刻理論以及條紋鎖定技術(shù)等理論基礎(chǔ)。先通過(guò)理論分析設(shè)計(jì)出納米級(jí)陣列圖形,再通過(guò)建立多光束全息光刻系統(tǒng)成功在光刻膠層制備出光柵,孔陣及點(diǎn)陣周期陣列圖形,設(shè)計(jì)周期均為528nm。然后通過(guò)濕法腐蝕和干法刻蝕技術(shù),制備出高分辨率,大視場(chǎng),精細(xì)的納米級(jí)陣列圖形。基于GaAs襯底,得出全息光刻單曝光制備光柵圖形最優(yōu)曝光時(shí)間為40s。全息光刻雙曝光制備孔陣圖形最優(yōu)曝光時(shí)間為60s,全息光刻雙曝光制備點(diǎn)陣圖形最優(yōu)曝光時(shí)間為90s。采用H3PO4:H2O2:H2O=1:1:10配比的刻蝕液,得出最佳刻蝕光柵的時(shí)間為20s,刻蝕點(diǎn)陣及孔陣的時(shí)間為30s。掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)測(cè)試圖片顯示,光柵圖形刻蝕深度為85nm,孔陣圖形刻蝕深度為124nm,均具有完美的表面形貌及良好均勻性和周期性。最后基于以上技術(shù),引入圖形反轉(zhuǎn)工藝對(duì)點(diǎn)陣圖形進(jìn)行優(yōu)化,提高了點(diǎn)陣圖形精度。得到點(diǎn)陣圖形刻蝕深度約為190nm,點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)直徑約為340nm。
【關(guān)鍵詞】：全息光刻系統(tǒng) 光柵 孔陣 點(diǎn)陣 圖形反轉(zhuǎn)
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN305.7
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-7
• 第一章 緒論7-14
• 1.1 論文研究背景和意義7-8
• 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀8-12
• 1.2.1 納米陣列圖形的研究進(jìn)展8-9
• 1.2.2 光刻技術(shù)的基本類型及研究進(jìn)展9-11
• 1.2.3 全息光刻技術(shù)的研究進(jìn)展11-12
• 1.2.4 納米陣列圖形研究的困難12
• 1.3 本論文的主要工作和結(jié)構(gòu)安排12-14
• 第二章 全息光刻技術(shù)14-21
• 2.1 全息光刻技術(shù)理論基礎(chǔ)14-15
• 2.2 具有條紋鎖定的全息光刻系統(tǒng)15-17
• 2.3 全息光刻技術(shù)的工藝流程17-21
• 第三章 基于全息光刻技術(shù)制備納米光柵圖形21-25
• 3.1 全息光刻技術(shù)制備光柵圖形的基本原理21
• 3.2 納米光柵圖形的制備流程21-22
• 3.3 納米光柵圖形的形貌表征22-25
• 第四章 基于全息光刻技術(shù)制備納米孔陣及點(diǎn)陣圖形25-37
• 4.1 全息光刻技術(shù)制備孔陣及點(diǎn)陣圖形的基本原理25-26
• 4.2 納米孔陣圖形的制備及形貌表征26-29
• 4.2.1 納米孔陣圖形制備的工藝流程26-28
• 4.2.2 納米孔陣圖形的形貌表征28-29
• 4.3 納米點(diǎn)陣圖形的制備及形貌表征29-32
• 4.3.1 納米孔陣圖形制備的工藝流程29-31
• 4.3.2 納米孔陣圖形的形貌表征31-32
• 4.4 基于圖形反轉(zhuǎn)工藝制備納米點(diǎn)陣圖形32-37
• 4.4.1 基于圖形反轉(zhuǎn)工藝制備納米點(diǎn)陣圖形的實(shí)驗(yàn)方案32-33
• 4.4.2 基于圖形反轉(zhuǎn)工藝制備納米點(diǎn)陣圖形的工藝流程33-35
• 4.4.3 基于圖形反轉(zhuǎn)工藝制備納米點(diǎn)陣圖形的形貌表征35-37
• 第五章 總結(jié)與展望37-38
• 致謝38-39
• 參考 文獻(xiàn)39-41
• 攻讀碩士期間發(fā)表的論文41

  本文關(guān)鍵詞：多光束全息光刻制作納米陣列圖形的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：256892