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磨削速度和壓力對單晶硅去除特性的影響

發(fā)布時間:2019-11-24 06:38
【摘要】:為研究單晶硅磨削損傷,使用金剛石磨塊在不同磨削速度和壓力下對單晶硅表面進(jìn)行高速劃擦試驗,金剛石的粒度尺寸為38~45μm。通過測量硅片表面粗糙度、亞表面損傷深度和材料去除率,研究磨塊的磨削速度和壓力對材料去除特性的影響規(guī)律。結(jié)果表明:相同壓力時,材料去除率隨磨削速度增加呈先增大后減小的趨勢,亞表面損傷深度逐漸變小;隨法向壓力增大,亞表面損傷深度變化不明顯;在5N壓力下,表面粗糙度值Ra變化明顯,由6.4μm減小到3.2μm;而10N壓力下,Ra無明顯變化。

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前6條

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相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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本文編號:2565318

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