【摘要】：隨著半導體尺寸不斷減小的技術要求,13.5 nm的極紫外(EUV)光源備受矚目,成為了下一代的光刻光源。EUV光源有望將節(jié)點縮短至10 nm以下,理論上,在達到10 nm節(jié)點是甚至不需要采用兩次圖形曝光技術(Double patterning,DP)技術。然而,要想其能真正產業(yè)化,我們需要解決減少粒子碎屑對收集鏡面造成的影響以及增加EUV轉換效率兩個關鍵問題。等離子體物理特性的研究對于脈沖激光作用靶材產生的EUV光源轉換效率的提高以及粒子碎屑產量的降低有重要意義。本論文主要從等離子體羽輝與輻射光譜兩方面研究了等離子體粒子內部特性,主要內容如下:(1)基于直接成像法拍攝了Nd:YAG激光誘導錫等離子體羽輝膨脹圖像,研究在不同激光能量條件下,不同的緩沖氣體以及不同壓強對等離子體邊界粒子動能、碰撞截面和減緩效率的影響。(2)使用光譜法對Nd:YAG激光誘導錫等離子體發(fā)射光譜進行測量與記錄,并利用波爾茲曼作圖法和斯塔克展寬分別計算了等離子體電子溫度和密度,比較了不同激光能量以及不同壓強條件下的等離子體電子溫度和密度。(3)對Nd:YAG與CO2脈沖激發(fā)Sn產生的等離子體特性進行比較。研究了在相同激光能量密度條件下,等離子體粒子動能、減緩效率、碰撞截面的變化;以及相同的激光能量條件下,等離子體電子溫度與電子密度的變化。
【學位授予單位】：華中科技大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN305.7

【參考文獻】

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本文編號：2562566