【摘要】：為更好研究GaN材料的生長機理,提出了一種在金屬有機物化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)中生長GaN的化學(xué)反應(yīng)生長模型,并結(jié)合動力學(xué)蒙特卡羅方法模擬了垂直噴淋式金屬有機物化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)中GaN的生長過程.模擬結(jié)果表明,在垂直噴淋式金屬有機物化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)中生長GaN時,首先發(fā)生加合反應(yīng),隨著反應(yīng)物逐步接近高溫襯底,再轉(zhuǎn)變?yōu)闊峤夥磻?yīng),最終生成GaN.GaN的生長速率隨溫度的升高而升高,而襯底的表面溫度均勻性會直接影響最終材料的表面形貌.文中還在動力學(xué)蒙特卡羅方法中模擬了反應(yīng)粒子在襯底表面的擴散和脫附過程,這些過程均主要受溫度的影響,并影響材料的表面形貌和生長速率.

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 魏芹芹,薛成山,孫振翠,曹文田,莊惠照;氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制備GaN薄膜[J];稀有金屬材料與工程;2005年02期

2 王瑞敏,陳光德,Lin J Y,Jang H X;GaN和p型GaN薄膜中聲子模和缺陷模的變溫喇曼散射(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2005年04期

3 董位;左然;賴曉慧;師s，

本文編號：2560188