S波段兩級(jí)平衡式低噪聲放大器的研究
【圖文】:
哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文2.3 基于 3 dB 定向耦合器的平衡式低噪聲放大器傳統(tǒng)單級(jí)低噪聲放大器在設(shè)計(jì)時(shí)比較注重其噪聲系數(shù),為了滿足噪聲系數(shù)的設(shè)計(jì)需求,往往忽略輸入輸出端的反射系數(shù),使設(shè)計(jì)的電路與系統(tǒng)失配。為了同時(shí)獲得較小的噪聲系數(shù)和較小的輸入輸出駐波比,可以使用平衡式這一結(jié)構(gòu),可以在很大程度上解決不能同時(shí)滿足的問題。如圖 2-8 所示,為單級(jí)平衡式低噪聲放大器的結(jié)構(gòu)原理圖,是通過兩個(gè)完全相同的定向耦合器將兩個(gè)相同的放大器并聯(lián)而成的,該結(jié)構(gòu)除了具有上述優(yōu)點(diǎn),還對(duì)整個(gè)電路工作的可靠性有一定提升,在其中一個(gè)放大器無法損壞的情況下依然可以保持工作狀態(tài)。通過耦合器的工作原理,可以計(jì)算出輸出信號(hào)與單個(gè)放大器的輸出信號(hào)相比,大小相等,,相位相差 90°,可以實(shí)現(xiàn)在不影響輸出信號(hào)的情況下改變駐波比的目的。
經(jīng)過分析對(duì)比,最終確定選用 AVAGO 公司的 ATF54143 型號(hào)的芯片進(jìn)行噪聲放大器的設(shè)計(jì)工作。該晶體管主要采用 pHEMT 工藝以獲取低噪聲系益以及寬帶性能,主要應(yīng)用在 WLAN,WLL/RLL 和 MMDS 等無線領(lǐng)域個(gè)引腳,封裝為 SOT-343,如圖 3-1。值得一提的是這款晶體管采用單電電源只需要通過直流偏置電路給柵極和漏極提供正電壓,而耗盡型的晶體要在柵極加負(fù)電壓,還需要控制柵極和源級(jí)的通電順序,所以,這款晶體源供電特點(diǎn)使得電路的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單許多。LNA 型號(hào)(GHz)(dB)(dB)(dB)in/out(mA)ATF-54143 0.45-6 0.5 16 ±1 1.5/1.5 60@5VBFP-420 0-10 1.05 20 ±1 1.6/1.6 35@12VAT-41511 0.1-5 1 11 ±1 18/1.8 50@12VEC-2612 2.4-2.8 1.2 24 ±1 1.8/1.8 65@5VEPA060B 1-20 0.8 20 ±1 1.8/1.8 50@12V
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TN722.3
【參考文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 張聚棟;劉景萍;吳磊;王倩;;基于ATF54143的2.45 GHz低噪聲放大器設(shè)計(jì)[J];電子設(shè)計(jì)工程;2017年08期
2 楊中;蔡青松;樊曉華;;一種低功耗寬帶低噪聲放大器[J];微電子學(xué);2017年01期
3 楊睿;;基于ATF54143雙平衡低噪聲放大器的設(shè)計(jì)[J];電子設(shè)計(jì)工程;2016年10期
4 林麗艷;李用兵;;GaAs PHEMT低噪聲放大器氫效應(yīng)機(jī)理分析[J];半導(dǎo)體技術(shù);2016年02期
5 戈勤;陶洪琪;余旭明;;A 1.8 3 GHz-band high efficiency GaAs pHEMT power amplifier MMIC[J];Journal of Semiconductors;2015年12期
6 宮波;李淑華;;基于ADS的通信設(shè)備低噪聲放大器改進(jìn)設(shè)計(jì)與仿真[J];電子設(shè)計(jì)工程;2010年02期
7 孟林;楊勇;牛磊;鄧龍江;;射頻低噪聲放大器的ADS設(shè)計(jì)[J];電子質(zhì)量;2007年03期
8 楊承恩;林永生;杜佳璐;;RF無線射頻電路設(shè)計(jì)中的常見問題及設(shè)計(jì)原則[J];國外電子元器件;2006年04期
9 劉t熲
本文編號(hào):2559313
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2559313.html