【摘要】：針對(duì)表面淬滅電阻技術(shù)引起死區(qū)面積較大,以及高光子探測(cè)效率與大動(dòng)態(tài)范圍不能同時(shí)滿足的矛盾,應(yīng)用外延電阻淬滅技術(shù),采用與雪崩光電二極管微單元相連的襯底外延層硅材料制作了淬滅電阻.研制成功的外延電阻淬滅硅光電倍增器的有源區(qū)面積為1×1mm~2,微單元尺寸為7μm,微單元密度高達(dá)21 488個(gè)/mm~2,測(cè)試結(jié)果表明:漏電流為10量級(jí),反向擊穿電壓為24.5V,過(guò)偏壓為2.5V時(shí),增益達(dá)1.4×10~5,室溫下暗計(jì)數(shù)率約為600kHz/mm~2,串話率低于10%,說(shuō)明該器件具有良好的光子計(jì)數(shù)特性.該高密度硅光電倍增器測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍是1.8×10~4個(gè)/mm,光子探測(cè)效率為16%(@λ_(peak)=480nm),恢復(fù)時(shí)間為8.5ns,單光子分辨能力較高,并且在液氮溫度環(huán)境能夠探測(cè)光子,這對(duì)于拓展硅光電倍增器在極低溫度條件下的應(yīng)用,比如暗物質(zhì)測(cè)量實(shí)驗(yàn)方面具有潛力.

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 范鵬;許天鵬;王石;劉亞強(qiáng);馬天予;;硅光電倍增器件(SiPM)的自動(dòng)增益校正[J];核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù);2013年01期

2 ;硅光電二極管和光電倍增管的選擇比較[J];國(guó)外紅外與激光技術(shù);1975年04期

3 ;[J];;年期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 韓德俊;張國(guó)青;胡小波;殷登平;胡春周;梁琨;楊茹;;一種新結(jié)構(gòu)硅光電倍增器(SiPM)及其應(yīng)用研究[A];第九屆全國(guó)光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集（上冊(cè)）[C];2010年

2 李永正;程岳;王凱君;李伯成;梁琨;楊茹;韓德俊;;應(yīng)用于大型高能物理實(shí)驗(yàn)的硅光電倍增器(SiPM)及其質(zhì)量控制研究[A];第十六屆全國(guó)核電子學(xué)與核探測(cè)技術(shù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（上冊(cè)）[C];2012年

，

本文編號(hào)：2559098