【摘要】：通過MBE外延系統(tǒng)生長了2μmGaSb基AlGaAsSb/InGaSbI型量子阱激光器,并制備了寬面條形波導(dǎo)激光器件,在20℃工作溫度下,器件最大連續(xù)激射功率達到1.058W,當(dāng)注入電流為0.5A時,峰值波長為1.977μm,最大能量轉(zhuǎn)換效率為20.2%,在脈沖頻率為1000Hz,占空比為5%的脈沖工作模式下,最大激射功率為2.278W.
【圖文】：

esputtered500/500/10000姒Ti/Pt/Auasthecontactelectrodeafterthat．Backsideprocessingstartedwithsubstratemechanicalthinningandmechano-chemicalpolishingfollowedbythedepositionofn-contactmetallizationandannealing．Thewaferwasprocessedinto1-cm-widebarshavinga20%fill-factor．Onebarwaschippedintosinglelasere-mitters．Singledevicesweremountedjunctionsidedownusingindiumsolderoncopperheatsinks(C-mount)．Fig．1EpitaxialstructurewithasingleQW，highAlcomponentsandnon-dopedwaveguidelayer圖1單量子阱，高鋁組分以及非摻雜波導(dǎo)層的外延結(jié)構(gòu)2LaserperformancesFigure2showstheCWI-V-Pcharacteristicsofasinglelaserdiodewithoutfacetscoated．ForasingleLD(singleemitter)device，themaximumoutputpowerun-derCWoperationis1．058Wunderworkingtemperatureof20℃withaslopeefficiency311．96mW/A．Themaximumwallplugefficiency(WPE)is20．9%at0．7Ainjectedcurrent．WPEdecreasesasweincreasetheinjectioncurrent，whichmeanstheproportionoflightpowerdecreasesandthethermalincreases．TheWPEisstillmorethan7%atthemaximumlightpower．Thepeakwavelengthis1977．7nmwheninjectioncurrentis0．5A，asindicatedinFig．3．Fig．2TheCWI-V-PandI-WPEcurveofasingleemitter圖2單管連續(xù)激射時的電流—電壓—功率圖以及電流—能量效率關(guān)系曲線Thethresholdcurrentdensitywasdecreasedremark-ablyfrom150A/cm2ofＲef．［11］and143A/cm2ofＲef．［12］to88A/cm2．AlargeAlcomponentdiffer-encebetweenwaveguidelayerandconfinementlayerformsalargeindexdifferenceandbandageoffset，，

eemitter)device，themaximumoutputpowerun-derCWoperationis1．058Wunderworkingtemperatureof20℃withaslopeefficiency311．96mW/A．Themaximumwallplugefficiency(WPE)is20．9%at0．7Ainjectedcurrent．WPEdecreasesasweincreasetheinjectioncurrent，whichmeanstheproportionoflightpowerdecreasesandthethermalincreases．TheWPEisstillmorethan7%atthemaximumlightpower．Thepeakwavelengthis1977．7nmwheninjectioncurrentis0．5A，asindicatedinFig．3．Fig．2TheCWI-V-PandI-WPEcurveofasingleemitter圖2單管連續(xù)激射時的電流—電壓—功率圖以及電流—能量效率關(guān)系曲線Thethresholdcurrentdensitywasdecreasedremark-ablyfrom150A/cm2ofＲef．［11］and143A/cm2ofＲef．［12］to88A/cm2．AlargeAlcomponentdiffer-encebetweenwaveguidelayerandconfinementlayerformsalargeindexdifferenceandbandageoffset，whichprovideastrongopticalandcarrierconfinement，anditishelpfultoobtainalowthresholdcurrentandlargeslopeefficiency．Thequantumwellnumberofone，insteadoftwo，isalsocontributedtothisresult．TheincreasingofAlcomponentfrom0．3to0．35inthewaveguidelayer673

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