發(fā)布時間：2019-10-11 08:36

【摘要】：氮化硅薄膜因其耐腐蝕性、高溫穩(wěn)定性和良好的機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用作透射電子顯微鏡(TEM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜儀(XPS)、能量色散X射線光譜儀(EDX)等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。特別是,SiN可作為SEM觀察時的低擾背景。然而SiN薄膜較差的熒光性制約了其進(jìn)一步在熒光器件中的廣泛應(yīng)用。為了進(jìn)一步提高SiN薄膜窗口的熒光效率,實(shí)驗(yàn)研究中采用了射頻磁控濺射技術(shù)在SiN_x薄膜襯底上成功制備出系列ZnO薄膜,并分別進(jìn)行了氮?dú)夥辗窃煌嘶鸷驮煌嘶鹛幚�。然后利用原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜儀(Raman)對薄膜的微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光(PL)性能進(jìn)行了研究,并系統(tǒng)研究了所制備薄膜的發(fā)光情況。實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明,鍍膜后熒光強(qiáng)度普遍提升,退火促進(jìn)晶粒進(jìn)一步熟化生長、結(jié)晶性能大幅提升、晶界減少,且退火方式對射頻磁控濺射法制備的ZnO/SiN復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能有顯著影響。與SiN_x薄膜相比,未退火的ZnO/SiN_x薄膜和N_2氣氛非原位退火的ZnO/SiN_x薄膜在380nm附近的帶邊本征發(fā)射強(qiáng)度分別提高了7.7倍和34.0倍以上。與非原位退火處理的薄膜相比,原位退火處理的ZnO/SiN_x薄膜具有更多的氧空位缺陷,因此表現(xiàn)出更強(qiáng)的可見光波段PL強(qiáng)度,在425~600nm的可見光波段表現(xiàn)出更高的光致發(fā)光能力。這些結(jié)果有助于優(yōu)化氮化硅基ZnO熒光薄膜的制備參數(shù)。
【作者單位】： 清華大學(xué)化學(xué)系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金儀器專項(xiàng)(21227010)資助
【分類號】：TN304.055

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 文亞南;李琳;陳士榮;史成武;梁齊;;射頻磁控濺射法制備Cu_2ZnSnS_4薄膜[J];電子元件與材料;2012年07期

2 陳宏偉,楊傳仁,符春林,裴亞芳,胡立業(yè);射頻磁控濺射法制備BST薄膜及性能研究[J];壓電與聲光;2005年03期

3 梁飛;倪佳苗;趙青南;;射頻磁控濺射法在玻璃基片上沉積CeO_2薄膜的研究(英文)[J];傳感技術(shù)學(xué)報;2006年02期

4 孫月珍,J.B.Webb,S.R.Das,D.F.Williams;由射頻磁控濺射法制備的氫化非晶硅薄膜的光電導(dǎo)特性[J];半導(dǎo)體技術(shù);1987年04期

5 孫大智;熊瑛;楊曉萍;;射頻磁控濺射法LiNbO_3薄膜的制備及其影響因素研究[J];天津理工大學(xué)學(xué)報;2008年04期

6 江民紅;顧正飛;劉心宇;成鈞;;射頻磁控濺射法制備(111)取向Pt薄膜[J];微細(xì)加工技術(shù);2006年02期

7 馮麗萍;劉正堂;;射頻磁控濺射法制備HfSiON高k薄膜的結(jié)構(gòu)特性[J];材料開發(fā)與應(yīng)用;2008年02期

8 晏學(xué)飛;鄧江峽;鄭輝;鄭梁;秦會斌;;退火條件對射頻磁控濺射法制備YIG薄膜性能的影響[J];電子世界;2014年05期

9 季振國;吳秋紅;毛啟楠;;射頻磁控濺射法沉積透明柔性導(dǎo)電CdO薄膜[J];半導(dǎo)體技術(shù);2010年12期

10 劉斌;沈鴻烈;岳之浩;江豐;馮曉梅;潘園園;;射頻磁控濺射法制備AZO/p-Si異質(zhì)結(jié)及其性能研究[J];電子器件;2011年06期

相關(guān)會議論文 前6條

1 肖洪地;馬洪磊;楊光;馬瑾;林兆軍;宗福建;張錫健;欒彩娜;;采用射頻磁控濺射法在Si(111)襯底上生長β-Ga_2O_3薄膜[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會專輯[C];2006年

2 曾冬梅;周海;孫金池;楊英歌;馮文然;萬漢城;盧一民;;射頻磁控濺射法制備Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜(英文)[A];真空技術(shù)與表面工程——第九屆真空冶金與表面工程學(xué)術(shù)會議論文集[C];2009年

3 曾冬梅;周海;孫金池;楊英歌;馮文然;萬漢城;盧一民;;射頻磁控濺射法制備Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜[A];第九屆真空冶金與表面工程學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2009年

4 程曉農(nóng);劉紅飛;張志萍;屈展;;射頻磁控濺射法制備Al_2(WO_4)_3薄膜[A];TFC'07全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會論文摘要集[C];2007年

5 王永利;馬瑾;葛松華;馮先進(jìn);楊帆;劉汝軍;馬洪磊;;射頻磁控濺射法生長Mg_(0.1)Zn_(0.9)O:Al紫外透明導(dǎo)電膜性質(zhì)研究[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會專輯[C];2006年

6 周雪梅;杜丕一;翁文劍;韓高榮;;以射頻磁控濺射法制備的La_(0.5)Ca_(0.5)Mn_xTi_(1-x)O_3薄膜晶結(jié)構(gòu)的研究[A];TFC’03全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會論文摘要集[C];2003年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 陳英娟;非真空法及射頻磁控濺射法制備CZTS材料研究[D];河北大學(xué);2015年

2 楊帆;射頻磁控濺射法制備PZT薄膜工藝與結(jié)構(gòu)性能研究[D];電子科技大學(xué);2009年

3 陳威;射頻磁控濺射法MoS_2薄膜制備研究[D];江蘇大學(xué);2008年

4 陳奇;射頻磁控濺射法制備氮摻雜氧化鋅薄膜及其性能研究[D];牡丹江師范學(xué)院;2010年

5 陳貽斌;射頻磁控濺射法制備CaWO_4:Eu~(3+)薄膜及其發(fā)光研究[D];江西理工大學(xué);2014年

6 趙海龍;射頻磁控濺射法制備類金剛石薄膜的研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2007年

7 溫吉穎;射頻磁控濺射法制備ZrO_2薄膜及其特性研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2012年

8 余花娃;射頻磁控濺射法制備氧化鋅薄膜及其特性的研究[D];陜西師范大學(xué);2007年

9 高振杰;射頻磁控濺射法制備ZnO:Eu~(3+)薄膜及其發(fā)光研究[D];廣東工業(yè)大學(xué);2011年

10 徐小玉;射頻磁控濺射法制備NiZnCo鐵氧體磁性薄膜的微觀組織與性能研究[D];江蘇大學(xué);2005年

，

本文編號：2547395