發(fā)布時間：2019-10-08 16:26

【摘要】：由分布反饋式(DFB,Distributed Feed Back)半導(dǎo)體激光器與電吸收調(diào)制器(EAM,Electro Absorption Modulator)單片集成的電吸收調(diào)制激光器(EMLs,Electroabsorption Modulated Lasers)是光纖接入網(wǎng)的關(guān)鍵器件之一。但是EAM會引入較大插入損耗并產(chǎn)生正啁啾,限制了傳輸距離和分支比的進(jìn)一步提升。半導(dǎo)體光放大器(SOA,Semiconductor Optical Amplifier)不僅能夠提供功率放大,還能夠使輸入光信號產(chǎn)生負(fù)啁啾,因此EML與SOA的單片集成光源(EML-SOA)為解決上述問題提供了一種可行的方案。但集成的SOA會引入放大自發(fā)輻射噪聲并增強(qiáng)光反饋,將對EML的輸出特性產(chǎn)生極大的影響,本文就這一問題展開了研究,主要工作如下:(1)研究了單個DFB、EAM和SOA的理論模型,并編寫了仿真程序,討論了單個器件的基本性能;在此基礎(chǔ)上建立了EML-SOA的仿真模型,實(shí)現(xiàn)三個器件的聯(lián)合仿真,為分析EML-SOA工作特性奠定了基礎(chǔ)。(2)分析了集成SOA引入對EML輸出特性的影響因素;著重研究了不同端面反射率和DFB、SOA節(jié)注入電流下,EML-SOA呈現(xiàn)的三種不同工作狀態(tài):邊模抑制比大于30d B的單縱模狀態(tài)、自脈沖狀態(tài)、多縱模狀態(tài);深入分析了SOA的相位調(diào)制效應(yīng)引起光源性能劣化的物理機(jī)制;比較了DFB節(jié)和SOA節(jié)采用量子阱材料和體材料時,EML-SOA對反饋光抗干擾能力的區(qū)別。(3)研究了DFB節(jié)兩端光柵相位在[0,2π]范圍內(nèi)取不同值,EML-SOA實(shí)現(xiàn)邊模抑制比大于30d B的單縱模工作時可容忍的最高反射率;然后,在此基礎(chǔ)上討論了不同端面反射率下,EML-SOA在大規(guī)模生產(chǎn)時的成品率問題。(4)研究了EML-SOA的啁啾特性:主要探討了SOA節(jié)對EAM節(jié)產(chǎn)生的正啁啾特性的補(bǔ)償效應(yīng)。
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN248

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本文編號：2546376