【摘要】：基于標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝,提出并驗證了一種改進的用于多相位振蕩器的耦合方法。將一種先進的自注入耦合(SIC)技術(shù),用于耦合兩個電流復(fù)用差分壓控振蕩器(VCO)。相比較于傳統(tǒng)的并聯(lián)耦合正交VCO(QVCO)而言,所提出的采用SIC技術(shù)的QVCO在沒有增加功耗的前提下,表現(xiàn)出了更低的相位噪聲。所提出的SIC-QVCO在16.41GHz振蕩頻率下,相位噪聲為-119.7dBc/Hz@1MHz,并且調(diào)諧范圍高達1.66GHz,直流電源電壓和電流分別為1.8V和5.28mA,芯片尺寸為0.3mm×0.9mm。
【作者單位】： 海軍工程大學(xué)電子工程學(xué)院;
【分類號】：TN752

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本文編號：2543212