【摘要】：采用直流電弧放電方法,在無催化劑的條件下直接氮化Al合成纖鋅礦結構的AlN微晶棒。分別利用拉曼光譜儀(Raman)、掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發(fā)光(PL)譜等測試手段對所制備樣品進行表征和發(fā)光性能的研究。結果表明:所制備的Al N微晶棒長度約為30μm,直徑約為10μm。在AlN微晶棒的PL譜中,有兩個主要發(fā)光峰,中心在430 nm的發(fā)射源于VN和(V_(Al)-O_N)~(2-)構成的深施主-深受主對缺陷發(fā)光,中心在650 nm的發(fā)射源于VAl形成的深受主能級到價帶的缺陷發(fā)光。在激發(fā)波長由270 nm逐漸增大到300 nm的過程中發(fā)現(xiàn),Al N微晶棒波長在430 nm處的發(fā)光峰先增強后減弱,在激發(fā)波長為285 nm時強度最大;650 nm處的發(fā)光峰隨激發(fā)波長增大而逐漸增強。
【作者單位】： 沈陽理工大學理學院;
【基金】：沈陽市科技局應用基礎研究專項(F16-205-1-16) 遼寧省激光與光信息技術重點實驗室開放課題(5H1004)資助項目
【分類號】：TN304;O482.31

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本文編號：2532465