【摘要】：等離子體刻蝕技術(shù)被廣泛應(yīng)用于IC制造和MEMS加工中,是目前較為主流的刻蝕技術(shù)手段之一。開發(fā)等離子體刻蝕的模擬軟件可以大大降低IC與MEMS器件的設(shè)計與研制成本,縮短研發(fā)周期；同時通過改變模擬的刻蝕條件,如離子能量,角度分布等,得到不同的模擬結(jié)果,以此來選擇最佳工藝條件。等離子體刻蝕是在等離子體中發(fā)生的,大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速,垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進(jìn)行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發(fā)生強(qiáng)烈的化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物,被真空系統(tǒng)抽走。隨著材料表層的“反應(yīng)-剝離-排放”的周期循環(huán),材料被逐層刻蝕到指定深度�；诜肿觿恿W(xué)的刻蝕模型通過離子／中性粒子流量,離子能量和角分布等參數(shù)來計算刻蝕／淀積速率,表面覆蓋等需要的結(jié)果。本文的工作以已有的混合層動力學(xué)模型為基礎(chǔ),針對等離子體刻蝕的工藝模擬展開研究。主要研究工作如下：1.用數(shù)值分析方法求出了混合層動力學(xué)模型的數(shù)值解,并將其耦合到三維元胞算法中。2.模擬得出了不同條件下的等離子體刻蝕形貌,包括不同粒子離子比例,不同離子能量等。并與實驗結(jié)果進(jìn)行了對比。對于不同條件下刻蝕形貌的差異進(jìn)行了分析。3.對于刻蝕中會導(dǎo)致出現(xiàn)非理想效應(yīng)的各種因素進(jìn)行了分析,包括離子反射,離子角度分布,掩膜形貌等。最后對負(fù)載效應(yīng)進(jìn)行了簡單討論。論文中針對等離子體刻蝕建立的這一套模擬方法對于微納加工工藝模擬具有一定參考價值。
【學(xué)位授予單位】：東南大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2528155