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磷化銦量子點及其碳納米雜化材料的制備與光電性能研究

發(fā)布時間:2019-08-10 12:35
【摘要】:磷化銦(InP)量子點具有較低的毒性,可應用于LED、太陽能電池等眾多領域,但存在量子產(chǎn)率低、無法大規(guī)模量產(chǎn)、難以固化到電子器件上等問題,嚴重制約了InP量子點的應用。本文以InP量子點為研究對象,主要內(nèi)容包括:1.采用熱注射法合成InP量子點。利用穩(wěn)定、廉價的三(二甲胺基)膦做磷源,研究了不同合成條件下InP量子點的形貌和光學性能,分析晶體尺寸(帶隙)隨成核時間、成核溫度、氯化鋅含量等制備條件的變化規(guī)律。采用核殼結構解決InP量子點量子產(chǎn)率不高的問題,在InP量子點外包裹一層硫化鋅(ZnS)外殼,并對比了ZnS外殼的實驗變量,最終得到了高量子產(chǎn)率(43.4%)的磷化銦/硫化鋅(InP/ZnS)核殼量子點。通過控制實驗條件實現(xiàn)對量子點的熒光光譜調(diào)控,實驗合成的量子點發(fā)光光譜范圍為505nm-630nm。2.設計了一種高效制備磷化銦/碳納米雜化材料的方法,碳納米材料為石墨烯和碳納米管。通過熱注射法同步反應功能化后的碳納米材料,分別合成出了磷化銦/石墨烯(InP/RGO)雜化材料與磷化銦/碳納米管(InP/CNT)雜化材料。3.通過對材料的表面修飾,有效地將磷化銦及其雜化材料中的油胺等有機雜質(zhì)去除,大大改善了材料的光電性能。實驗表明原本無光電響應的材料在配體交換后,光電性能顯著提高。4.分析了磷化銦/碳納米雜化材料器件的光電響應,電子器件采用不同磷化銦、碳納米材料摩爾比的雜化材料。在不同波長與強度的光照條件下,器件的IV、I-T特性曲線呈現(xiàn)規(guī)律性的電流變化,證明了磷化銦/石墨烯雜化材料復合情況較好,線性的I-V曲線表明雜化材料與器件形成了可靠的電學接觸。
【學位授予單位】:江蘇師范大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TN304.2

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