發(fā)布時(shí)間：2019-08-10 12:35

【摘要】：磷化銦(InP)量子點(diǎn)具有較低的毒性,可應(yīng)用于LED、太陽能電池等眾多領(lǐng)域,但存在量子產(chǎn)率低、無法大規(guī)模量產(chǎn)、難以固化到電子器件上等問題,嚴(yán)重制約了InP量子點(diǎn)的應(yīng)用。本文以InP量子點(diǎn)為研究對象,主要內(nèi)容包括:1.采用熱注射法合成InP量子點(diǎn)。利用穩(wěn)定、廉價(jià)的三(二甲胺基)膦做磷源,研究了不同合成條件下InP量子點(diǎn)的形貌和光學(xué)性能,分析晶體尺寸(帶隙)隨成核時(shí)間、成核溫度、氯化鋅含量等制備條件的變化規(guī)律。采用核殼結(jié)構(gòu)解決InP量子點(diǎn)量子產(chǎn)率不高的問題,在InP量子點(diǎn)外包裹一層硫化鋅(ZnS)外殼,并對比了ZnS外殼的實(shí)驗(yàn)變量,最終得到了高量子產(chǎn)率(43.4%)的磷化銦/硫化鋅(InP/ZnS)核殼量子點(diǎn)。通過控制實(shí)驗(yàn)條件實(shí)現(xiàn)對量子點(diǎn)的熒光光譜調(diào)控,實(shí)驗(yàn)合成的量子點(diǎn)發(fā)光光譜范圍為505nm-630nm。2.設(shè)計(jì)了一種高效制備磷化銦/碳納米雜化材料的方法,碳納米材料為石墨烯和碳納米管。通過熱注射法同步反應(yīng)功能化后的碳納米材料,分別合成出了磷化銦/石墨烯(InP/RGO)雜化材料與磷化銦/碳納米管(InP/CNT)雜化材料。3.通過對材料的表面修飾,有效地將磷化銦及其雜化材料中的油胺等有機(jī)雜質(zhì)去除,大大改善了材料的光電性能。實(shí)驗(yàn)表明原本無光電響應(yīng)的材料在配體交換后,光電性能顯著提高。4.分析了磷化銦/碳納米雜化材料器件的光電響應(yīng),電子器件采用不同磷化銦、碳納米材料摩爾比的雜化材料。在不同波長與強(qiáng)度的光照條件下,器件的IV、I-T特性曲線呈現(xiàn)規(guī)律性的電流變化,證明了磷化銦/石墨烯雜化材料復(fù)合情況較好,線性的I-V曲線表明雜化材料與器件形成了可靠的電學(xué)接觸。
【學(xué)位授予單位】：江蘇師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TN304.2

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