發(fā)布時間：2019-06-21 08:34

【摘要】：采用光致發(fā)光晶向識別技術分辨多晶硅片晶向的分布情況,通過納米壓痕試驗測試多晶硅片在不同晶向上的彈性模量;然后利用有限元方法建立包含晶粒尺寸和晶向分布信息的多晶硅片有限元模型,將納米壓痕試驗測得的不同晶向的彈性模量帶入此模型,模擬得到了不同晶粒尺寸和晶向分布下多晶硅片的彎曲應力,最后通過三點彎曲試驗對模擬結果進行了驗證。結果表明:多晶硅片在不同晶向上的彈性模量和硬度不同;晶向分布會影響多晶硅片的最大彎曲應力和最大撓度的位置,晶粒形狀會影響多晶硅片的最大彎曲應力;減小晶粒尺寸可以降低多晶硅片的最大彎曲應力;三點彎曲試驗驗證了所建模型的正確性。
[Abstract]:Photoluminescence direction recognition technique was used to distinguish the distribution of polysilicon wafer direction, and the elastic modulus of polysilicon wafer in different crystal directions was measured by nano-indentation test. Then the finite element model of polysilicon wafer with grain size and crystal direction distribution information is established by finite element method, and the elastic modulus of different crystal directions measured by nano-indentation test is brought into the model. The bending stress of polysilicon wafer under different grain size and direction distribution is simulated. Finally, the simulation results are verified by three-point bending test. The results show that the elastic modulus and hardness of polysilicon wafer are different in different crystal directions, the distribution of crystal direction will affect the position of maximum bending stress and maximum deflection of polysilicon wafer, the grain shape will affect the maximum bending stress of polysilicon wafer, the maximum bending stress of polysilicon wafer can be reduced by reducing grain size, and the correctness of the model is verified by three-point bending test.
【作者單位】： 常州大學機械工程學院江蘇省光伏科學與工程協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(51335002,51272033)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：2503937