量產(chǎn)硅量子點的制備及其光致發(fā)光
[Abstract]:High brightness silicon quantum dots are the key components to realize silicon photoelectron integration. The silicon quantum dots prepared by self-organizing growth method of silicon atoms have the disadvantages of low concentration and weak emission. The preparation of silicon quantum dots by nitric acid oxidation and hydrofluoric acid corrosion was studied. the concentration of silicon quantum dots was increased and the luminous intensity of silicon quantum dots was improved. Firstly, by changing the concentration and reaction time of nitric acid and hydrofluoric acid, the luminous peak positions of silicon quantum dots with different sizes and before and after filtration were obtained. Secondly, through the analysis, it can be seen that the concentration of silicon quantum dots prepared by chemical corrosion method is much higher than that prepared by silicon atom self-organized growth method, and the photoluminescence intensity of silicon quantum dots prepared by chemical corrosion method is greatly improved. Finally, silicon quantum dots were added into Si O _ 2 prepared by sol-gel method. After different annealing temperatures, the luminous peak position and intensity of silicon quantum dots were different.
【作者單位】: 貴州民族大學傳媒學院;
【基金】:國家自然科學基金面上項目(51472051);國家自然科學基金青年科學基金資助項目(61504031) 貴州民族大學科研基金資助項目(16jsxm012)
【分類號】:TN304.12
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