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量產(chǎn)硅量子點的制備及其光致發(fā)光

發(fā)布時間:2019-06-10 15:23
【摘要】:高亮度硅量子點是實現(xiàn)硅光電子集成的關(guān)鍵部件,針對利用硅原子的自組織生長方法制備的硅量子點具有濃度低、發(fā)光弱等缺點,研究了利用硝酸氧化和氫氟酸腐蝕制備量產(chǎn)的硅量子點的方法,增加了硅量子點的濃度,從而提高了硅量子點的發(fā)光強度。首先,通過改變硝酸和氫氟酸的濃度和反應時間,獲得不同尺寸的硅量子點和過濾前后硅量子點溶液的發(fā)光峰位。其次,通過分析可知,化學腐蝕法制備的硅量子點濃度遠遠高于硅原子自組織生長方法制備的量子點濃度,大大地提高其光致發(fā)光強度。最后,將硅量子點加入溶膠-凝膠法制備的Si O2中,經(jīng)過不同的退火溫度,得到的硅量子點的發(fā)光峰位和強度不同。
[Abstract]:High brightness silicon quantum dots are the key components to realize silicon photoelectron integration. The silicon quantum dots prepared by self-organizing growth method of silicon atoms have the disadvantages of low concentration and weak emission. The preparation of silicon quantum dots by nitric acid oxidation and hydrofluoric acid corrosion was studied. the concentration of silicon quantum dots was increased and the luminous intensity of silicon quantum dots was improved. Firstly, by changing the concentration and reaction time of nitric acid and hydrofluoric acid, the luminous peak positions of silicon quantum dots with different sizes and before and after filtration were obtained. Secondly, through the analysis, it can be seen that the concentration of silicon quantum dots prepared by chemical corrosion method is much higher than that prepared by silicon atom self-organized growth method, and the photoluminescence intensity of silicon quantum dots prepared by chemical corrosion method is greatly improved. Finally, silicon quantum dots were added into Si O _ 2 prepared by sol-gel method. After different annealing temperatures, the luminous peak position and intensity of silicon quantum dots were different.
【作者單位】: 貴州民族大學傳媒學院;
【基金】:國家自然科學基金面上項目(51472051);國家自然科學基金青年科學基金資助項目(61504031) 貴州民族大學科研基金資助項目(16jsxm012)
【分類號】:TN304.12

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