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基于GaN HEMT的Doherty功率放大器設(shè)計(jì)

發(fā)布時間:2019-04-29 09:08
【摘要】:設(shè)計(jì)一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器(DPA)。主放大器是采用GaN HEMT設(shè)計(jì)的AB類功放,輔助放大器是GaN HEMT的C類功放。利用ADS對電路進(jìn)行仿真,單音測試結(jié)果表明,DPA工作頻率在2.3~2.4 GHz,輸入功率為29 dBm時,工作增益不小于14 dB,輸出功率大于43 dBm,功率附加效率超過65%。分析了輔助放大器偏置電壓對DPA性能的影響,偏置電壓變小,DPA的效率和線性度較好。
[Abstract]:Design of an S-band Doherty Power Amplifier (DPA). Based on GaN HEMT The main amplifier is the AB class amplifier designed by GaN HEMT, and the auxiliary amplifier is the class C power amplifier of GaN HEMT. ADS is used to simulate the circuit. The single tone test results show that the operating gain of the DPA is not less than 14 dB, when the input power is 29 dBm, the output power of 14 dB, is more than 43 dBm, and the additional efficiency of power is more than 65%. The effect of auxiliary amplifier bias voltage on the performance of DPA is analyzed. The bias voltage decreases and the efficiency and linearity of DPA are better.
【作者單位】: 湖北大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院;
【基金】:國家級大學(xué)生創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練項(xiàng)目資助(201210512087) 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助(51472079)
【分類號】:TN722.75

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本文編號:2468144


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