【摘要】：基于溶液加工方法制備了聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT:PSS)/氧化鋅(ZnO)/乙氧基化聚乙烯亞胺(PEIE)電荷產生層的聚合物級聯發(fā)光器件,發(fā)現PEDOT:PSS層電導和厚度對器件的電流-電壓特性影響較小,不同PEDOT:PSS對器件發(fā)光效率的影響主要來自于其對發(fā)光層激子不同的猝滅作用,PEDOT:PSS厚度為60 nm的級聯器件比PEDOT:PSS厚度為30 nm的級聯器件的發(fā)光效率稍高,原因是PEDOT:PSS較厚時,其表面形貌更均勻。級聯器件的發(fā)光效率和驅動電壓分別與發(fā)光子單元的發(fā)光效率和驅動電壓之和相近,說明在較低的電壓下電荷產生層就能夠有效產生電荷并注入到發(fā)光子單元中,級聯器件的發(fā)光光譜中包含兩個發(fā)光子單元的發(fā)光光譜,說明兩個發(fā)光子單元在級聯器件中都能正常工作。通過對電荷產生層的電容-電壓(C-V)特性的測試,確認了在電荷產生層中存在電荷的積累過程。證明了PEDOT:PSS/ZnO/PEIE為有效的電荷產生層。首次報道了包含三個SY-PPV發(fā)光單元的級聯器件,三個發(fā)光子單元發(fā)光效率之和與級聯器件的發(fā)光效率相當,其最大發(fā)光效率和最大外量子效率分別為21.7 cd·A~(-1)和6.95%。在器件亮度為5 000 cd·m~(-2)時,器件的發(fā)光效率和外量子效率分別為20.5 cd·A~(-1)和6.6%。說明并沒有由于發(fā)光子單元數目增加而影響級聯器件的發(fā)光效率。并且其發(fā)光光譜和發(fā)光子單元的發(fā)光光譜相接近。通過進一步降低CGL中空穴注入層對級聯器件的影響有望提高級聯器件的發(fā)光效率。
[Abstract]:Poly (ethylenedioxythiophene)-poly (styrene sulfonate) (PEDOT:PSS) / zinc oxide (ZnO) / ethoxylation polyethylene imine (PEIE) charge generation layer was prepared by solution processing method. It is found that the conductivity and thickness of the PEDOT:PSS layer have little effect on the current-voltage characteristics of the device. The effect of different PEDOT:PSS on the luminous efficiency of the device is mainly due to its different quenching effect on the exciton of the emitting layer. The light-emitting efficiency of cascaded devices with PEDOT:PSS thickness of 60 nm is slightly higher than that of cascade devices with PEDOT:PSS thickness of 30 nm, because the surface morphology of cascaded devices with thicker PEDOT:PSS is more uniform than that of cascaded devices with PEDOT:PSS thickness of 30 nm. The light-emitting efficiency and driving voltage of cascaded devices are similar to those of photon-emitting units and driving voltages respectively, indicating that the charge generation layer can effectively generate charges and inject them into photon-emitting units at lower voltages. The photoluminescence spectra of cascaded devices contain the luminescence spectra of two photon emitting units, which indicate that the two photon emitting units can work normally in cascaded devices. The charge accumulation process in the charge generation layer is confirmed by the measurement of the capacitance-voltage (C _ () V) characteristics of the charge generation layer. It is proved that PEDOT:PSS/ZnO/PEIE is an effective charge generation layer. A cascade device consisting of three SY-PPV light emitting units is reported for the first time. The total luminous efficiency of the three photon emitting units is equal to that of the cascaded devices. The maximum luminescence efficiency and external quantum efficiency are 21.7 cd 路A ~ (- 1) and 6.95%, respectively. When the brightness of the device is 5 000 cd 路m ~ (- 2), the luminous efficiency and external quantum efficiency of the device are 20.5 cd 路A ~ (- 1) and 6.6%, respectively. It is shown that the luminous efficiency of cascaded devices is not affected by the increase of the number of photon emitting units. The luminescence spectra of the photons are similar to those of photons-emitting units. By further reducing the effect of hole injection layer on cascade devices in CGL, it is expected to improve the luminous efficiency of cascade devices.
【作者單位】： 西南大學物理科學與技術學院;
【基金】：國家自然科學基金項目(61177030,11474232)資助
【分類號】：TN383.1

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