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母排互感對IGBT模塊并聯(lián)動態(tài)均流的影響

發(fā)布時(shí)間:2019-02-24 17:52
【摘要】:為了改善絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊并聯(lián)中的不均流現(xiàn)象,以IGBT模塊并聯(lián)的典型疊層母排結(jié)構(gòu)為研究對象,基于Ansoft Q3D和Simplorer軟件,探究了IGBT模塊開關(guān)瞬間疊層母排的等效電路,提出了一種新穎的疊層母排端子互感對IGBT模塊動態(tài)均流的影響理論,并在實(shí)驗(yàn)中得到了良好的驗(yàn)證。
[Abstract]:In order to improve the uneven flow in the parallel connection of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) module, the typical stacked bus structure of the IGBT module parallel is taken as the research object, based on the Ansoft Q3D and Simplorer software. This paper probes into the equivalent circuit of IGBT module switch instantaneous stacking bus, and puts forward a novel theory of the influence of the mutual inductance of the laminated bus terminal on the dynamic current sharing of IGBT module, and it is well verified in the experiment.
【作者單位】: 中國科學(xué)院大學(xué);中國科學(xué)院電工研究所;中國科學(xué)院電力電子與電氣驅(qū)動重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京電動車輛協(xié)同創(chuàng)新中心;
【基金】:北京市科技計(jì)劃項(xiàng)目(Z161100001416004)~~
【分類號】:TN322.8

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本文編號:2429789

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