【摘要】：基于圓形傳輸線模型,通過測試樣品的比接觸電阻率和電流-電壓(I-V)特性曲線,分析對(duì)比了Al與Si基上外延生長的p型Ge、n型Ge和n型Si的接觸特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn),由于金屬與Ge材料接觸存在強(qiáng)烈的費(fèi)米釘效應(yīng),導(dǎo)致金屬與n型Ge接觸有高的接觸電阻,難實(shí)現(xiàn)低的比接觸電阻率;而Al與p型Ge在摻雜濃度為4.2×10~(18) cm~(-3)時(shí),并且經(jīng)過退火,比接觸電阻率能達(dá)到4.0×10~(-7)Ω·cm~2;Al與n型Ge和n型Si接觸電極相比,后者可形成良好的歐姆接觸,其比接觸電阻率較n型Ge接觸降低了1個(gè)量級(jí),經(jīng)合金化處理后的Al/n+Si接觸電阻率能達(dá)到5.21×10~(-5)Ω·cm~2,達(dá)到了制作高性能Ge光電器件的要求。
[Abstract]:Based on the circular transmission line model, the contact characteristics of p-type Ge,n Ge and n-type Si grown on Si are analyzed and compared by measuring the specific contact resistivity and current-voltage (I-V) characteristic curves of the samples. The experimental results show that because of the strong Fermi nail effect between metal and Ge material, the metal has high contact resistance with n-type Ge, so it is difficult to achieve low specific contact resistivity. The specific contact resistivity of Al and p-type Ge was 4.0 脳 10 ~ (-7) 惟 cm~2; when the doping concentration was 4.2 脳 10 ~ (18) cm~ (-3) and annealed. Compared with n-type Ge and n-type Si contact electrodes, Al can form good ohmic contact, and its specific contact resistivity is one order of magnitude lower than that of n-type Ge contact. After alloying, the contact resistivity of Al/n Si can reach 5.21 脳 10 ~ (-5) 惟 cm~2, which meets the requirement of making high performance Ge optoelectronic devices.
【作者單位】： 集美大學(xué)誠毅學(xué)院;廈門華廈學(xué)院;廈門大學(xué)物理系半導(dǎo)體光子學(xué)研究中心;
【基金】：福建省中青年教師教育科研(JA15654)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN304

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本文編號(hào)：2427389