熱像儀對QFN封裝表面發(fā)射率環(huán)境透射率的標(biāo)定
發(fā)布時間:2019-02-19 16:03
【摘要】:使用紅外熱像儀對未切割分離的QFN封裝在40~200℃進(jìn)行了塑封料面、銅面和"縫"表面發(fā)射率的標(biāo)定,并分別利用上述三面對實(shí)驗(yàn)環(huán)境的空氣透射率進(jìn)行了標(biāo)定。結(jié)果表明:直接計算法和直接調(diào)節(jié)法可以很好地應(yīng)用于塑封料發(fā)射率標(biāo)定,直接計算法可以應(yīng)用在"縫"處、銅面發(fā)射率標(biāo)定。塑封料發(fā)射率標(biāo)定結(jié)果在0.97左右;"縫"處發(fā)射率標(biāo)定值隨著溫度升高由0.17~0.35呈線性遞增趨勢變化;銅面發(fā)射率標(biāo)定值隨溫度升高出現(xiàn)先穩(wěn)定后增大趨勢。塑封料面、銅及"縫"處對空氣透射率標(biāo)定值在100%左右,上下波動不超過2%。該實(shí)驗(yàn)結(jié)果可為紅外熱像儀測定QFN的使用溫度及切割分離時的溫度提供相應(yīng)參數(shù)。
[Abstract]:The emissivity of uncut separated QFN encapsulated at 40 ~ 200 鈩,
本文編號:2426653
[Abstract]:The emissivity of uncut separated QFN encapsulated at 40 ~ 200 鈩,
本文編號:2426653
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