【摘要】：有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-emitting devices,OLED)具有自發(fā)光、亮度高、視角廣、響應(yīng)快、輕薄、可揉、成本低、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)、環(huán)保及可制作大尺寸面板等優(yōu)勢,被譽(yù)為下一代的夢幻顯示領(lǐng)域和照明領(lǐng)域最具競爭力的技術(shù)。眾所周知,有機(jī)電致發(fā)光器件在全彩顯示方面需要紅綠藍(lán)三基色具有很好的穩(wěn)定性以及低的操作電壓,低電壓下的高亮度和高效率對顯示面板有著非常重要的意義。本論文主要針對改善和提高傳統(tǒng)紅色磷光、藍(lán)色熒光器件的穩(wěn)定性和發(fā)光效率以及降低器件的操作電壓進(jìn)行了研究,主要內(nèi)容如下:1)在基于我們需要EL波段632-633 nm和640-650 nm的前提下,采用深紅光客體Ir(MDQ)2(acac)、Ir(piq)3和Ir(pmiq)2(acac),主體材料是一種具有雙偶極性的深藍(lán)材料,搭配Ir(MDQ)2(acac)制備的器件EL主峰紅移到632 nm,最高外量子效率達(dá)到15.52%;采用p-i-n結(jié)構(gòu)優(yōu)化Ir(piq)3制備的器件,最高外量子效率達(dá)到12.55%;采用Ir(pmiq)2(acac)制備的器件,其EL主峰在640 nm,色坐標(biāo)CIEx,y(0.70,0.30),最高外量子效率達(dá)到12.38%。2)選用傳統(tǒng)藍(lán)光材料MADN,采用新型雙空穴注入層結(jié)構(gòu)優(yōu)化MADN材料,當(dāng)采用的器件結(jié)構(gòu)ITO/MoO3(5)/HAT-CN(5)/TAPC(60)/MADN(30)/TmPyPB(20)/LiF(1)/Al時,器件的開啟電壓為2.8 V,色坐標(biāo)CIEx,y(0.14,0.08),最大外量子效率達(dá)到4.15%;將該結(jié)構(gòu)優(yōu)化MADN摻雜高效熒光客體BUBD-1的器件,在7.8 V達(dá)到最大亮度16130cd/m2,最高外量子效率達(dá)到7.87%,最高電流效率達(dá)到13.8 cd/A,最高功率效率達(dá)到14.1 lm/W;3)選用傳統(tǒng)藍(lán)光材料α,β-ADN,采用p-i-n結(jié)構(gòu)優(yōu)化α,β-ADN摻雜高效熒光客體BUBD-1的器件,在7 V達(dá)到最大亮度20070 cd/m2,器件開啟電壓為2.9 V,最大外量子效率達(dá)到6.85%,改變n-doping層的厚度,影響器件的光色穩(wěn)定性。
[Abstract]:Organic electroluminescent devices (Organic Light-emitting devices,OLED) have the advantages of self-luminescence, high brightness, wide viewing angle, fast response, lightweight, kneading, low cost, strong environmental adaptability, environmental protection and the ability to make large-sized panels, etc. Known as the next generation of dream display and lighting field the most competitive technology. As we all know, organic electroluminescent devices need red, green and blue trichromatic in full color display with good stability and low operating voltage. High brightness and high efficiency at low voltage have very important significance for display panel. In this thesis, the stability and luminescence efficiency of the traditional red phosphorescence and blue fluorescence devices are studied, and the operating voltage of the devices is reduced. The main contents are as follows: 1) based on the EL band of 632-633 nm and 640-650 nm, the deep red Ir (MDQ) 2 (acac), Ir (piq) 3 and Ir (pmiq) 2 (acac), are used. The host material is a kind of dark blue material with dual polarity. The main peak of EL fabricated with Ir (MDQ) 2 (acac) shifts to 632 nm, with the highest external quantum efficiency of 15.52%. The p-i-n structure is used to optimize the device prepared by Ir (piq) _ 3, and the maximum external quantum efficiency is 12.55. The main peak of EL of the device fabricated by Ir (pmiq) 2 (acac) is at 640 nm, color coordinate CIEx,y (0.70 ~ 0.30). The highest external quantum efficiency is 12.38.2) and the traditional blue-light material MADN, is chosen. A novel double-hole injection layer structure is used to optimize the MADN material. When the device structure is ITO/MoO3 (5) / HAT-CN (5) / TAPC (60) / MADN (30) / TmPyPB (20) / LiF (1) / Al, the starting voltage of the device is 2.8 V. The maximum external quantum efficiency of the color coordinate CIEx,y (0. 14 ~ 0. 08) is 4. 15; By optimizing the structure of MADN doped high efficiency fluorescent object BUBD-1 device, the maximum luminance of 16130 CD / m ~ 2, the highest external quantum efficiency of 7.87 and the maximum current efficiency of 13.8 cd/A, are obtained at 7.8 V. Maximum power efficiency 14.1 lm/W; 3) traditional blue light materials 偽, 尾-ADN, are used to optimize 偽, 尾-ADN doped high efficiency BUBD-1 devices with p-i-n structure. The maximum luminance of 20070 cd/m2, devices is 2. 9 V at 7 V. The maximum external quantum efficiency reaches 6.85. The thickness of the n-doping layer is changed and the photochromatic stability of the device is affected.
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TN383.1

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 鄧云龍,廖常俊,劉頌豪,范廣涵,文尚勝;高亮度發(fā)光二極管中的電注入和光輸出過程的理論分析[J];發(fā)光學(xué)報;2002年03期

2 ;科學(xué)家發(fā)明高效紫外發(fā)光二極管[J];現(xiàn)代科學(xué)儀器;2011年05期

3 戰(zhàn)瑛;牛萍娟;李曉云;王小麗;彭曉磊;;GaAs基AlGaInP LED的研究和進(jìn)展[J];半導(dǎo)體技術(shù);2008年08期

4 ;簡訊[J];國外信息顯示動態(tài);1970年02期

5 代國章;李宏建;戴小玉;潘艷芝;謝強(qiáng);彭景翠;;有機(jī)磷光電致發(fā)光器件中的復(fù)合寬度和外量子效率[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2006年05期

6 林瀚;劉守;張向蘇;劉寶林;任雪暢;;全息技術(shù)制作二維光子晶體藍(lán)寶石襯底提高發(fā)光二極管外量子效率[J];物理學(xué)報;2009年02期

7 徐曉良;宋鏡明;;LED光學(xué)傳播的有限元研究[J];光學(xué)與光電技術(shù);2011年02期

8 占美瓊;吳中林;吳恒萊;陳林;;提高LED外量子效率[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2007年12期

9 葛愛明;王巍;;基于光的回歸反射技術(shù)提高LED外量子效率的研究[J];照明工程學(xué)報;2010年05期

10 劉默;李同;王巖;張?zhí)扈?謝文法;;有機(jī)電致發(fā)光器件光取出效率增強(qiáng)研究進(jìn)展[J];光譜學(xué)與光譜分析;2011年04期

相關(guān)會議論文 前2條

1 趙楚軍;李宏建;崔昊揚;代國章;黃永輝;謝強(qiáng);彭景翠;;單層有機(jī)發(fā)光二極管中復(fù)合區(qū)域和外量子效率的研究[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集Ⅰ[C];2004年

2 封飛飛;劉軍林;江風(fēng)益;;Si襯底GaN基功率型藍(lán)光LED芯片老化性能研究[A];第十二屆全國LED產(chǎn)業(yè)研討與學(xué)術(shù)會議論文集[C];2010年

相關(guān)重要報紙文章 前1條

1 中國照明電器協(xié)會半導(dǎo)體照明專業(yè)委員會主任 唐國慶邋上�？其J光電發(fā)展有限公司工程中心 李瑛;我國LED封裝技術(shù)綜合實力有待提高[N];消費日報;2008年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前9條

1 張業(yè)欣;高效率、長壽命磷光OLED主體和客體材料的設(shè)計、合成與性能研究[D];蘇州大學(xué);2015年

2 李欣陽;具有延遲熒光性質(zhì)的電致發(fā)光材料的設(shè)計、合成及性能研究[D];北京理工大學(xué);2015年

3 張小慶;基于鉑、銥配合物的OLED客體材料設(shè)計、合成以及器件的制備與表征[D];蘇州大學(xué);2016年

4 雷志宏;純紅光、純藍(lán)光傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光器件的優(yōu)化[D];華中科技大學(xué);2015年

5 吳廷偉;高外量子效率氮化鎵基發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計[D];華中科技大學(xué);2009年

6 李光;OLED外量子效率的研究[D];電子科技大學(xué);2006年

7 白繼鋒;表面粗化提高AlGaInP LEDs外量子效率[D];長春理工大學(xué);2012年

8 張安琪;含銥配合物的電磷光聚合物的合成與光電性能[D];華南理工大學(xué);2011年

9 馮永安;熒光玻璃光學(xué)性能的蒙特卡羅模擬與實驗研究[D];重慶大學(xué);2014年

，

本文編號：2421212