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漏電流對(duì)CMOS探測(cè)器成像品質(zhì)的影響分析

發(fā)布時(shí)間:2019-01-26 20:49
【摘要】:CMOS探測(cè)器近年來在工業(yè)、民用、航天等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,而漏電流對(duì)CMOS探測(cè)器成像品質(zhì)影響的研究卻較少。文章針對(duì)CMOS探測(cè)器在低讀出速率時(shí)造成圖像噪聲過大的原因進(jìn)行了分析,發(fā)現(xiàn)CMOS探測(cè)器的漏電流是產(chǎn)生該種圖像噪聲主要成因,并對(duì)不同讀出速率下的像質(zhì)進(jìn)行了試驗(yàn)分析。理論和試驗(yàn)結(jié)果表明:在較低的讀出速率時(shí),CMOS探測(cè)器的漏電流產(chǎn)生的噪聲過大,導(dǎo)致圖像噪聲的增大,影響了像質(zhì)。因此,設(shè)計(jì)CMOS相機(jī)時(shí)應(yīng)重點(diǎn)考慮低讀出速率時(shí),CMOS探測(cè)器漏電流對(duì)像質(zhì)的影響,必要時(shí)要增加緩存,以便獲得更好的像質(zhì)。文章將為CMOS探測(cè)器在低速讀出應(yīng)用、設(shè)計(jì)提供一定的參考。
[Abstract]:In recent years, CMOS detectors have been widely used in industrial, civil, aerospace and other fields, but the effects of leakage current on the imaging quality of CMOS detectors are less studied. In this paper, the cause of excessive image noise caused by CMOS detector at low readout rate is analyzed. It is found that the leakage current of CMOS detector is the main cause of the image noise, and the image quality at different readout rates is analyzed experimentally. The theoretical and experimental results show that the noise produced by leakage current of CMOS detector is too large at low readout rate, which leads to the increase of image noise and affects the image quality. Therefore, when designing CMOS camera, the effect of leakage current of CMOS detector on image quality should be taken into account when low readout rate is considered, and buffer should be added if necessary in order to obtain better image quality. This paper will provide some reference for the application of CMOS detector in low speed readout.
【作者單位】: 中國(guó)運(yùn)載火箭技術(shù)研究院研究發(fā)展中心;
【分類號(hào)】:TN386.1

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào):2415896

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