硅埋置型毫米波系統(tǒng)級封裝中光敏BCB工藝改進
[Abstract]:In silicon-embedded millimeter-wave system-level packaging, the conventional Guang Min BCB process often introduces bubbles and depressions into the grooves, resulting in discontinuity of the metal wires in the upper layer. In order to reduce the generation of bubble and depression, a new coating process, "double type tertiary coating process", is proposed, that is, on the basis of using large thickness BCB, low viscosity BCB, is introduced and BCB. is coated three times. The Ka band low noise amplifier is encapsulated by this process, and it is found that the number of bubbles and the degree of depression are greatly reduced, which proves the feasibility and effectiveness of this process. In the 25 GHz~37 GHz band, the gain of the package is reduced by 1 dB than that of the pre-package, which meets the requirement of high performance packaging.
【作者單位】: 上海大學(xué)通信與信息工程學(xué)院;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;
【基金】:國家重大儀器項目(2012YQ14003702)
【分類號】:TN405
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,本文編號:2415151
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