【摘要】：為評(píng)估脈沖激光試驗(yàn)對(duì)研究SoC(片上系統(tǒng)芯片)單粒子效應(yīng)的有效性,構(gòu)建了一個(gè)65 nm SoC的脈沖激光試驗(yàn)系統(tǒng),并進(jìn)行了試驗(yàn)。提出并采用坐標(biāo)定位法、有源區(qū)聚焦法、ΔZ補(bǔ)償法等針對(duì)大規(guī)模倒裝焊集成電路的試驗(yàn)方法。對(duì)SoC的片上存儲(chǔ)器、寄存器文件、RapidIO、DICE觸發(fā)器等部件進(jìn)行了脈沖激光試驗(yàn)和分析。結(jié)果表明:片上存儲(chǔ)器對(duì)脈沖激光最為敏感,部件的激光試驗(yàn)與相應(yīng)的重離子試驗(yàn)現(xiàn)象吻合,利用脈沖激光試驗(yàn)可有效研究納米工藝下大規(guī)模集成電路的單粒子效應(yīng)。
[Abstract]:In order to evaluate the effectiveness of pulsed laser experiment in studying the single particle effect of SoC (system on Chip), a 65 nm SoC pulsed laser test system was constructed and tested. The test methods such as coordinate positioning method, active zone focusing method and 螖 Z compensation method for large scale reverse assembly welding integrated circuits are proposed and adopted. The pulse laser test and analysis of the on-chip memory, register file and RapidIO,DICE trigger of SoC are carried out. The results show that the on-chip memory is the most sensitive to pulsed laser, and the laser experiments of the components are consistent with the corresponding heavy ion experiments. The single-particle effect of large-scale integrated circuits in nanotechnology can be effectively studied by using the pulsed laser test.
【作者單位】： 國(guó)防科技大學(xué)計(jì)算機(jī)學(xué)院;國(guó)防科技大學(xué)并行與分布處理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61434007,61376109,61504169)
【分類(lèi)號(hào)】：TN47

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