【摘要】：切削加工產(chǎn)生的表面和亞表面損傷會(huì)影響零件的物理力學(xué)性能和使用壽命.對(duì)目前存在的主要的表面/亞表面損傷檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行了闡述,指出了目前檢測(cè)方法的優(yōu)缺點(diǎn),提出了一種基于電子背散射衍射技術(shù)(EBSD)檢測(cè)方法,作為現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)的補(bǔ)充.基于課題組自行搭建的集成于掃描電子顯微鏡高真空條件下的納米切削實(shí)驗(yàn)裝置,用金剛石刀具在單晶硅(001)晶面上沿110晶向進(jìn)行切削,然后利用EBSD進(jìn)行表征.結(jié)果表明:利用EBSD檢測(cè)技術(shù)可以對(duì)單晶硅不同切削厚度的應(yīng)力應(yīng)變進(jìn)行分析,通過使用不同的電子束能量可以對(duì)距離表面不同深度的亞表面損傷進(jìn)行研究.此外,利用其高分辨率,可以對(duì)硅片加工過程中出現(xiàn)的相變進(jìn)行定點(diǎn)分析.
[Abstract]:The surface and subsurface damage caused by cutting will affect the physical and mechanical properties and service life of the parts. The existing surface / subsurface damage detection techniques are described, the advantages and disadvantages of the current detection methods are pointed out, and a (EBSD) detection method based on electron backscattering diffraction is proposed as a supplement to the existing detection techniques. Based on the experimental device of nano-cutting integrated with scanning electron microscope (SEM) under high vacuum condition, the diamond tool was used to cut the crystal plane of single crystal silicon (001) along the 110crystal direction, and then the device was characterized by EBSD. The results show that the stress and strain of monocrystalline silicon with different cutting thickness can be analyzed by EBSD, and the subsurface damage at different depth from the surface can be studied by using different electron beam energy. In addition, the high resolution can be used to analyze the phase transition in the process of wafer processing.
【作者單位】： 天津大學(xué)精密測(cè)試技術(shù)與儀器國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;天津市計(jì)量監(jiān)督檢測(cè)科學(xué)研究院;天津商業(yè)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院;
【分類號(hào)】：TH161.1

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本文編號(hào)：2408337