【摘要】：材料受到輻照時產(chǎn)生的位移損傷會導致其微觀結構發(fā)生變化,從而使其某些使用性能退化,影響其使用效率,減短其使用壽命。利用Geant4模擬了質子在氮化鎵中的輸運過程,計算了1、10、100、500 MeV能量質子入射氮化鎵材料產(chǎn)生的初級撞出原子的種類、能量信息及離位原子數(shù)。獲得了10 MeV質子產(chǎn)生的位移缺陷分布;計算了4種能量質子入射氮化鎵材料產(chǎn)生的非電離能量損失(NIEL);研究了質子產(chǎn)生位移損傷過程的影響要素。研究發(fā)現(xiàn),入射質子能量對其在材料中產(chǎn)生的初級撞出原子的種類、能量、離位原子數(shù)等信息有著非常大的影響;單位厚度所沉積NIEL隨著入射質子能量的增大而減小;10 MeV質子入射氮化鎵所產(chǎn)生的離位原子數(shù)隨入射深度的增加而增加,但在超出其射程范圍以外有一巨大回落;能量并不是影響質子與氮化鎵靶材料相互作用的唯一因素。
[Abstract]:The displacement damage caused by radiation will cause the microstructure of the material to change, which will degrade some of its performance, affect its efficiency and shorten its service life. The transport process of protons in gallium nitride was simulated by Geant4. The kinds of atoms, the energy information and the number of exiting atoms produced by proton incident gallium nitride materials with 110100500 MeV energy were calculated. The distribution of displacement defects produced by 10 MeV proton was obtained, and the non-ionization energy loss of four kinds of energy proton incident gallium nitride materials was calculated. The influence factors of proton induced displacement damage process were studied by (NIEL);. It is found that the incident proton energy has a great influence on the type, energy and number of atoms produced in the material, and the NIEL deposited by the unit thickness decreases with the increase of the incident proton energy. The number of dissociated atoms produced by 10 MeV proton incident gallium nitride increases with the increase of incident depth, but there is a great fall beyond its range. Energy is not the only factor affecting the interaction between proton and gallium nitride target material.
【作者單位】： 西安交通大學核科學與技術學院;
【分類號】：TN304

【參考文獻】

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5 童寒軒;胡慧明;鄭方慶;鄭晉潔;張淵澤;馬劍華;;氮化鎵的合成制備及前景分析[J];遼寧化工;2011年11期

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5 ;氮化鎵研究綜述[J];激光與光電子學進展;1997年04期

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3 徐凱宇;唐s，

本文編號：2388082